摘要

場(chǎng)效應(yīng)管是一種重要的電子元器件，廣泛應(yīng)用于各種電路中。本文將圍繞場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)大全展開詳細(xì)闡述，從四個(gè)方面進(jìn)行分析和討論。

一、基本參數(shù)

場(chǎng)效應(yīng)管的基本參數(shù)包括柵極-源極截止電壓V_GS(off)、漏極-源極飽和電壓V_DS(on)、最大漏源間導(dǎo)通電阻R_D(on)等。這些參數(shù)對(duì)于場(chǎng)效應(yīng)管的工作狀態(tài)和性能具有重要影響。

V_GS(off): 柵極-源極截止電壓是指在柵極與源極之間施加零偏置時(shí)，使得漏流小到可以忽略不計(jì)的柵級(jí)—源級(jí)間靜態(tài)直流偏置電壓。

V_Ds(on): 漏級(jí)—源級(jí)飽和狀況下所需要施加到柵級(jí)上去的直流偏置電平，在此狀態(tài)下所需控制功率FET導(dǎo)通并獲得預(yù)期性能特點(diǎn)（如：低導(dǎo)通阻抗）所需控制功率。

Rdson: 場(chǎng)效應(yīng)管的最大漏源間導(dǎo)通電阻，也稱為導(dǎo)通電阻。它是指在場(chǎng)效應(yīng)管處于飽和狀態(tài)時(shí)，漏極-源極之間的等效電阻。

二、靜態(tài)參數(shù)

靜態(tài)參數(shù)是指場(chǎng)效應(yīng)管在穩(wěn)定工作狀態(tài)下的一些重要特性。其中包括柵級(jí)輸入電容C_iss、輸出電容C_oss、反饋電容C_rss等。

Ciss: 柵級(jí)輸入總共有多少個(gè)FET單元可以貢獻(xiàn)給外部環(huán)境中形成整體行為模式所需求的總共量化能力。

Coss: 輸出總共有多少個(gè)FET單元可以貢獻(xiàn)給外部環(huán)境中形成整體行為模式所需求的總共量化能力。

Crss: 反饋總共有多少個(gè)FET單元可以貢獻(xiàn)給外部環(huán)境中形成整體行為模式所需求的總共量化能力。

三、動(dòng)態(tài)參數(shù)

動(dòng)態(tài)參數(shù)描述了場(chǎng)效應(yīng)管在變化工作條件下響應(yīng)速度和頻率特性等方面表現(xiàn)出來的特點(diǎn)。這些參數(shù)包括開關(guān)時(shí)間t_r(on)/t_f(off), 開關(guān)損耗P_sw等。

t_r(on): 開關(guān)時(shí)間是指場(chǎng)效應(yīng)管從關(guān)斷到導(dǎo)通的時(shí)間，即柵級(jí)電壓從低電平上升到高電平所需的時(shí)間。

t_f(off): 關(guān)斷時(shí)間是指場(chǎng)效應(yīng)管從導(dǎo)通到關(guān)斷的時(shí)間，即柵級(jí)電壓從高電平下降到低電平所需的時(shí)間。

Psw: 開關(guān)損耗是指在場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)過程中由于導(dǎo)通和截止產(chǎn)生的功率損耗。它對(duì)于工作頻率和能量轉(zhuǎn)換效率具有重要影響。

四、溫度參數(shù)

溫度參數(shù)描述了場(chǎng)效應(yīng)管在不同溫度下性能變化情況。這些參數(shù)包括漏極-源極飽和電流I_D(on), 溫度系數(shù)TC等。

ID(on): 漏極-源極飽和狀態(tài)下通過FET器件漏出來之漏流大?。ㄒ话阋园才酁閱挝唬?；其大小取決于VDS及VGS兩個(gè)變量以及FET器件自身特性.

TC: 溫度系數(shù)是指場(chǎng)效應(yīng)管各項(xiàng)參數(shù)隨著環(huán)境溫度變化而引起相對(duì)穩(wěn)定值發(fā)生多大程度改變。

總結(jié)

場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)大全涵蓋了場(chǎng)效應(yīng)管的各個(gè)方面特性，包括基本參數(shù)、靜態(tài)參數(shù)、動(dòng)態(tài)參數(shù)和溫度參數(shù)。了解和掌握這些參數(shù)對(duì)于正確選擇和使用場(chǎng)效應(yīng)管具有重要意義。