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新型LTC1266開關穩(wěn)壓器在10A負載下提供高效率的處理辦法是什么?

來源: hqbuy
2023-07-21
類別:技術信息
eye 40
文章創(chuàng)建人 拍明芯城

  新的LTC1266是一種同步降壓開關調節(jié)器控制器,可以驅動兩個外部n溝道MOSFET開關。n溝道m(xù)osfet的卓越性能使LTC1266能夠在10A或更高的負載下實現(xiàn)高效率,而無需額外的組件。突發(fā)模式 操作在輕負載下提供高效率,負載范圍為10mA至10A,效率大于90%。以高效率提供10A的能力對于為奔騰處理器應用供電至關重要。

  LTC1266基于LTC1148架構,具有該成功產品的大部分功能,包括恒定斷開時間,具有自動突發(fā)模式操作的電流模式架構。引腳可選關斷將直流電源電流降低到40μA。LTC1266還提供頂側驅動器的引腳可選相位,這使得它除了實現(xiàn)全n通道降壓穩(wěn)壓器外,還可以實現(xiàn)具有高側p通道或升壓穩(wěn)壓器的低差穩(wěn)壓器。LTC1266的其他新特性包括片上低電池比較器、引腳可失效的突發(fā)模式操作、更寬的電壓供應范圍(3.5V至20V)、1%負載調節(jié)和更高的400kHz最大頻率。

  n通道vs p通道

  LTC1266能夠以高效率驅動大負載的關鍵是它能夠驅動頂部和底部n溝道m(xù)osfet。在大電流下,n溝道m(xù)osfet優(yōu)于p溝道是由于n溝道部分的R(DS(ON))和柵極電容較低。為了補償更高的R(DS(ON)), p溝道尺寸通常會變大,從而導致更高的柵極電容。效率與R(DS(ON))和柵極電容都成反比。更高的R(DS(ON))由于更高的I(2)R損耗而降低效率,并限制了MOSFET在不超過熱限制的情況下可以處理的最大電流。較高的柵極電容由于在每個開關周期中開關mosfet所需的電荷增加而增加了損耗。

  盡管如此,p溝道m(xù)osfet仍然在低電流和低差應用中占有一席之地,因為它們可以在100%占空比下工作。LTC1266提供驅動n通道或p通道的能力。

  驅動n溝道m(xù)osfet

  p通道還有另一個明顯的優(yōu)點——柵極驅動簡單。由于p通道的負閾值,柵極電位必須低于源(處于V(IN))至少降低V(GS(ON))才能導通。因此,頂部MOSFET可以在可用的電源軌道V(IN)和地之間進行門控。

  驅動n溝道頂部MOSFET并不是那么簡單。當頂部MOSFET接通時,源被拉到V(IN)。由于n通道的閾值電壓為正,柵極必須比源極高出至少V(GS(ON))。因此,頂部驅動器必須在地和V(IN) + V(GS(ON))之間擺動。這需要第二個更高的供電軌道,至少等于V(IN) + V(GS(ON))。

  有兩種方法可以獲得這個更高的軌道。最直接的方法是使用已經可用的更高的軌道,就像大多數帶有12V電源的桌面系統(tǒng)一樣。請注意,LTC1266的PWR V(IN)輸入專用于為內部驅動器供電,并且與主電源輸入分開。PWR V(IN)電壓不能超過18V(最大20V),限制輸入電壓為18V - V(GS(ON))。對于具有邏輯級mosfet的轉換器,這將V(IN)限制在約13.5V。壓水堆V(IN)電壓還必須滿足其V(IN) + V(GS(ON))的最低要求(對于5v至3.3V轉換器約為10V),以便在較大的輸出負載下不會由于電導不足而燒毀高側MOSFET。如果沒有更高的供電軌道,則可以使用電荷泵電路將V(IN)泵送到所需的電平。

  基本電路配置

  圖1和圖2顯示了LTC1266的兩種基本電路配置。圖1顯示了電荷泵配置中的LTC1266,設計用于提供3.3V/10A輸出。Si4410s是來自Siliconix的新型邏輯級表面貼裝n溝道m(xù)osfet,在V(GS) = 4.5V時提供的導通電阻僅為0.02歐姆,從而以最小的組件提供10A解決方案。效率圖顯示,轉換器在10A時仍然接近90%的效率。因為使用了電荷泵配置,所以PWR V(IN) = 2 × V(IN)加上開關節(jié)點上的任何額外振鈴。由于該電路中的交流電流很大,我們建議使用低ESR OS-CON或AVX輸入/輸出電容器,以保持效率和穩(wěn)定性。

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  圖1 a 所有n通道單電源5V至3.3V/10A穩(wěn)壓器

  

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  圖1 b 圖1a電路效率

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  圖2 a 所有n通道3.3V/5A穩(wěn)壓器,驅動器由外部電源V(IN)供電

  

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  圖2 b 圖2a電路效率

  圖2所示的全n通道外部PWR V(IN)電路是一個3.3V/5A表面貼裝轉換器。根據公式I(OUT) = 100mV/R(sense),選擇電流檢測電阻值將最大電流設置為5A。當V(IN) = 5V時,5μH電感和130pF定時電容的工作頻率為175kHz,紋波電流為1.25A。Si9410 n溝道m(xù)osfet的V(GS(ON))為4.5V;因此,外部壓水堆V(IN)的最小允許電壓為V(IN(MAX)) + 4.5V。另一端,壓水堆V(IN)應保持在最大安全電平18V以下,限制V(IN)為18V - 4.5V = 13.5V。

  這兩個應用電路演示了固定3.3V版本的LTC1266。LTC1266也有固定5V和可調版本。這三個版本均采用16引腳窄SOIC封裝。

  結論

  新的LTC1266同步降壓調節(jié)器控制器是第一款Linear Technology同步控制器,能夠利用n溝道m(xù)osfet的卓越性能,最大限度地提高效率,并為大電流轉換器提供低成本,緊湊的解決方案。該產品提供的額外功能,抑制突發(fā)模式和低電池比較器,使其成為各種應用的理想選擇。


責任編輯:David

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