D波段功率放大器提高功率


NEC開發(fā)了一種基于GaAs的功率放大器,在150 GHz頻段實(shí)現(xiàn)了它認(rèn)為的全球最高輸出功率10 mW。該器件采用可批量生產(chǎn)的砷化鎵技術(shù)構(gòu)建,面向移動(dòng)接入和前傳/回傳無線設(shè)備,為5G Advanced和6G網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)高速、高容量通信。

功率放大器設(shè)計(jì)采用市售的 0.1μm GaAs 偽晶態(tài)高電子遷移率晶體管 (pHEMT) 工藝。與用于亞太赫茲頻段的CMOS和SiGe技術(shù)相比,GaAs pHEMT具有高工作電壓和較低的大規(guī)模生產(chǎn)初始成本。
這在110 GHz和150 GHz之間具有出色的高頻特性,以及GaAs pHEMT放大器的最高輸出功率。
NEC在本月的IEEE無線電和無線應(yīng)用射頻/微波功率放大器專題會(huì)議(PAWR2023)上詳細(xì)介紹了放大器技術(shù)。
責(zé)任編輯:David
【免責(zé)聲明】
1、本文內(nèi)容、數(shù)據(jù)、圖表等來源于網(wǎng)絡(luò)引用或其他公開資料,版權(quán)歸屬原作者、原發(fā)表出處。若版權(quán)所有方對(duì)本文的引用持有異議,請(qǐng)聯(lián)系拍明芯城(marketing@iczoom.com),本方將及時(shí)處理。
2、本文的引用僅供讀者交流學(xué)習(xí)使用,不涉及商業(yè)目的。
3、本文內(nèi)容僅代表作者觀點(diǎn),拍明芯城不對(duì)內(nèi)容的準(zhǔn)確性、可靠性或完整性提供明示或暗示的保證。讀者閱讀本文后做出的決定或行為,是基于自主意愿和獨(dú)立判斷做出的,請(qǐng)讀者明確相關(guān)結(jié)果。
4、如需轉(zhuǎn)載本方擁有版權(quán)的文章,請(qǐng)聯(lián)系拍明芯城(marketing@iczoom.com)注明“轉(zhuǎn)載原因”。未經(jīng)允許私自轉(zhuǎn)載拍明芯城將保留追究其法律責(zé)任的權(quán)利。
拍明芯城擁有對(duì)此聲明的最終解釋權(quán)。