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意法半導(dǎo)體汽車級(jí)器件STTN6050H-12M1Y具有增強(qiáng)的功率密度

來源:
2023-01-11
類別:新品快報(bào)
eye 8
文章創(chuàng)建人 拍明芯城

  

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  意法半導(dǎo)體最新的功率半導(dǎo)體電橋簡化了組裝,與傳統(tǒng)的TO型封裝相比,功率密度更高。

  意法半導(dǎo)體(ST)推出了五款采用常用配置的功率半導(dǎo)體電橋,采用先進(jìn)的ACEPACK SMIT封裝,與傳統(tǒng)的TO型封裝相比,簡化了組裝并提高了功率密度。

  工程師可以從兩個(gè)STPOWER 650V MOSFET半橋、一個(gè)600V超快二極管橋、一個(gè)1.2kV半控全波整流器和一個(gè)1.2kV晶閘管控制的橋臂中進(jìn)行選擇。所有器件均符合汽車行業(yè)要求,適用于電動(dòng)汽車車載充電器 (OBC) 和 DC/DC 轉(zhuǎn)換器以及工業(yè)電源轉(zhuǎn)換。

  意法半導(dǎo)體的ACEPACK SMIT表面貼裝封裝易于處理絕緣封裝,具有外露漏極的熱效率。它允許直接鍵合銅 (DBC) 芯片連接,以實(shí)現(xiàn)高效的頂部冷卻。4.6cm2 ACEPACK SMIT 的裸露金屬頂部允許輕松連接平面散熱器。這創(chuàng)造了一個(gè)節(jié)省空間的薄型,最大限度地提高了散熱,在高功率下具有更高的可靠性。模塊和散熱器可以使用自動(dòng)化在線設(shè)備放置,從而節(jié)省手動(dòng)過程并提高生產(chǎn)率。

  在最大限度地降低堆疊高度并提高功率密度的同時(shí),頂部冷卻設(shè)計(jì)和 32.7 x 22.5mm 封裝占位面積允許 6.6mm 引線到引線爬電距離。片到引線絕緣為 4.5kVrms。該封裝還具有低寄生電感和電容。

  SH68N65DM6AG和SH32N65DM6AG 650V-MDmesh DM6 MOSFET半橋現(xiàn)已通過ACEPACK SMIT認(rèn)證,符合AQG-324標(biāo)準(zhǔn)。它們在SH68N65DM6AG中的導(dǎo)通電阻(最大值)為41mΩ,在SH32N65DM6AG中為97mΩ,確保了高電效率和低散熱。它們可用于 OBC 和高壓至低壓部分的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。它們的多角色靈活性有助于簡化庫存和采購。

  STTH60RQ06-M2Y 600V、60A 全波橋式整流器包括具有軟恢復(fù)特性的超快二極管,并且具有 PPAP 功能,可用于汽車應(yīng)用。

  STTD6050H-12M2Y 1.2kV、60A 半控單相交流/直流橋式整流器符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn),具有高抗擾度,dV/dt 為 1kV/μs。

  STTN6050H-12M1Y是一款1.2kV、60A半橋,包括兩個(gè)內(nèi)部連接的晶閘管(可控硅整流器 – SCR)。它符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn),可用于汽車 OBC 和充電站以及工業(yè)應(yīng)用,例如電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電源中的 AC/DC 轉(zhuǎn)換、單相和三相控制整流器橋、圖騰柱功率因數(shù)校正和固態(tài)繼電器


責(zé)任編輯:David

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