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SMARTsemi DDR4內(nèi)存ic KTDM8G4B632BGIEAT的介紹、特性、及應(yīng)用

來(lái)源: hqbuy
2022-11-25
類別:基礎(chǔ)知識(shí)
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文章創(chuàng)建人 拍明芯城

原標(biāo)題:SMARTsemi DDR4內(nèi)存ic KTDM8G4B632BGIEAT的介紹、特性、及應(yīng)用

SMARTsemi DDR4內(nèi)存ic KTDM8G4B632BGIEAT的介紹

SMARTsemi DDR4內(nèi)存ic KTDM8G4B632BGIEAT是一款采用DDR4技術(shù)的內(nèi)存集成電路(IC)。它屬于SMARTsemi品牌,具有特定的型號(hào)編碼和配置。

特性

  1. 存儲(chǔ)容量:KTDM8G4B632BGIEAT的內(nèi)存容量為8Gb,可根據(jù)需求選擇x8或x16的位寬。

  2. 電源規(guī)格:該內(nèi)存ic的電源遵循JEDEC標(biāo)準(zhǔn),其中V(DD)為1.2V±5%,V(PP)為2.375V至2.75V。

  3. 架構(gòu)和銀行:IC具有多達(dá)8家銀行(4家銀行x 2家銀行集團(tuán)),提供x16種產(chǎn)品。

  4. 接口和時(shí)序:DDR4具有偽開漏(POD)接口,支持8和4的Burst Length(BL)和Burst Chop(BC)。CAS時(shí)延(CL)有多種選項(xiàng),如10、12、14等,而CAS寫時(shí)延(CWL)也有9、10、11等選擇。

  5. 數(shù)據(jù)速率和傳輸:該內(nèi)存ic支持高達(dá)3222MT/s的數(shù)據(jù)傳輸速率,采用雙數(shù)據(jù)速率架構(gòu),每個(gè)時(shí)鐘周期兩次數(shù)據(jù)傳輸。

  6. 數(shù)據(jù)完整性:支持寫CRC(Cyclic Redundancy Code)用于DQ錯(cuò)誤檢測(cè),并在高速運(yùn)行時(shí)通知控制器。

  7. 溫度范圍:支持工業(yè)寬溫和商規(guī)溫度范圍。

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應(yīng)用

SMARTsemi DDR4內(nèi)存ic KTDM8G4B632BGIEAT適用于多種應(yīng)用領(lǐng)域,包括但不限于:

  1. 航天國(guó)防:其高性能和可靠性使得它成為航天國(guó)防設(shè)備中理想的存儲(chǔ)解決方案。

  2. 電信和網(wǎng)通:在高速數(shù)據(jù)傳輸和通信網(wǎng)絡(luò)中,需要高性能的DDR4內(nèi)存來(lái)確保數(shù)據(jù)的實(shí)時(shí)處理和存儲(chǔ)。

  3. 內(nèi)存條:適用于個(gè)人計(jì)算機(jī)和企業(yè)級(jí)服務(wù)器等內(nèi)存條的生產(chǎn)和升級(jí)。

  4. 其他嵌入式應(yīng)用:如醫(yī)療、工業(yè)機(jī)器人、家用娛樂/游戲電子等領(lǐng)域,也需要高性能和可靠的DDR4內(nèi)存來(lái)支持其應(yīng)用需求。

綜上所述,SMARTsemi DDR4內(nèi)存ic KTDM8G4B632BGIEAT是一款功能強(qiáng)大、性能穩(wěn)定的內(nèi)存集成電路,適用于各種需要高性能存儲(chǔ)解決方案的應(yīng)用場(chǎng)景。


責(zé)任編輯:David

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標(biāo)簽: SMARTsemi DDR4 KTDM8G4B632BGIEAT

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