您現(xiàn)在的位置：首頁 > 電子資訊 >技術(shù)信息 > Vishay / Siliconix SiS176LDN N-Channel 70V (D-S) mosfet器件的介紹、特性、及應(yīng)用

Vishay / Siliconix SiS176LDN N-Channel 70V (D-S) mosfet器件的介紹、特性、及應(yīng)用

來源：華強(qiáng)商城

2022-07-25

類別：技術(shù)信息

拍明芯城

原標(biāo)題：Vishay / Siliconix SiS176LDN N-Channel 70V (D-S) mosfet器件的介紹、特性、及應(yīng)用

Vishay / Siliconix SiS176LDN是一款N溝道70V (D-S) MOSFET器件，屬于Vishay Siliconix品牌下的高性能MOSFET產(chǎn)品系列。這款MOSFET采用了先進(jìn)的硅技術(shù)和封裝設(shè)計，提供了優(yōu)異的電氣性能和可靠性。

特性

電氣性能：

Vds-漏源極擊穿電壓：70 V
Id-連續(xù)漏極電流：42.3 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：10.9 mOhms
Vgs-柵極-源極電壓：-12 V, +12 V
Vgs th-柵源極閾值電壓：1.6 V
Qg-柵極電荷：12.6 nC

工作溫度：

最小工作溫度：-55 C
最大工作溫度：+150 C

封裝與安裝：

封裝/箱體：PowerPAK 1212-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT

其他特性：

通道數(shù)量：1 Channel
通道模式：Enhancement
商標(biāo)名：TrenchFET
工廠包裝數(shù)量：3000

應(yīng)用

Vishay / Siliconix SiS176LDN N-Channel 70V (D-S) MOSFET器件適用于各種需要高性能、高效率的電力電子系統(tǒng)。其應(yīng)用領(lǐng)域包括但不限于：

電源管理：在電源管理系統(tǒng)中，SiS176LDN可以用于轉(zhuǎn)換、控制和管理電能，以提高系統(tǒng)效率和可靠性。
電機(jī)控制：在電機(jī)控制系統(tǒng)中，SiS176LDN的優(yōu)異電氣性能使其能夠高效、穩(wěn)定地控制電機(jī)的運(yùn)行。
工業(yè)系統(tǒng)：在工業(yè)自動化和控制系統(tǒng)中，SiS176LDN的可靠性和穩(wěn)定性能夠滿足復(fù)雜環(huán)境和高負(fù)荷工作條件的要求。

綜上所述，Vishay / Siliconix SiS176LDN N-Channel 70V (D-S) MOSFET器件以其優(yōu)異的電氣性能、高可靠性和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，成為電力電子領(lǐng)域中的一款重要產(chǎn)品。

責(zé)任編輯：

【免責(zé)聲明】

1、本文內(nèi)容、數(shù)據(jù)、圖表等來源于網(wǎng)絡(luò)引用或其他公開資料，版權(quán)歸屬原作者、原發(fā)表出處。若版權(quán)所有方對本文的引用持有異議，請聯(lián)系拍明芯城（marketing@iczoom.com），本方將及時處理。

2、本文的引用僅供讀者交流學(xué)習(xí)使用，不涉及商業(yè)目的。

3、本文內(nèi)容僅代表作者觀點(diǎn)，拍明芯城不對內(nèi)容的準(zhǔn)確性、可靠性或完整性提供明示或暗示的保證。讀者閱讀本文后做出的決定或行為，是基于自主意愿和獨(dú)立判斷做出的，請讀者明確相關(guān)結(jié)果。

4、如需轉(zhuǎn)載本方擁有版權(quán)的文章，請聯(lián)系拍明芯城（marketing@iczoom.com）注明“轉(zhuǎn)載原因”。未經(jīng)允許私自轉(zhuǎn)載拍明芯城將保留追究其法律責(zé)任的權(quán)利。

拍明芯城擁有對此聲明的最終解釋權(quán)。

上一篇：意法半導(dǎo)體 TSV7722運(yùn)算放大器的介紹、特性、及應(yīng)用

下一篇： Vishay / Siliconix si186ldp N-Channel 60V (D-S) mosfet器件的介紹、特性、及應(yīng)用

標(biāo)簽： DC/DC變換器