Broadcom AFBR-S4N44P164M 4×4 NUV-MT 光電倍增器陣列


原標(biāo)題:Broadcom AFBR-S4N44P164M 4×4 NUV-MT 光電倍增器陣列
Broadcom AFBR-S4N44P164M 4×4 NUV-MT光電倍增器陣列是一款高性能的硅光電倍增管(SiPM)陣列,專為單光子的超靈敏精確計(jì)數(shù)而設(shè)計(jì)。以下是關(guān)于這款產(chǎn)品的詳細(xì)介紹:
產(chǎn)品概述
型號:AFBR-S4N44P164M
類型:4×4 NUV-MT硅光電倍增器(SiPM)陣列
制造商:Broadcom
主要特性
高靈敏度:
AFBR-S4N44P164M采用了NUV-MT技術(shù),結(jié)合了改進(jìn)的光探測效率(PDE)和降低的暗計(jì)數(shù)率和串?dāng)_。
在420nm波長下,其PDE高達(dá)63%,確保了對微弱光信號的高靈敏度檢測。
大面積覆蓋:
4×4的陣列設(shè)計(jì)提供了大面積的探測區(qū)域,每個(gè)陣列包含16個(gè)6mm × 6mm的SiPM。
通過平鋪多個(gè)陣列,可以覆蓋更大的探測器區(qū)域,幾乎沒有邊緣損失。
均勻性:
該陣列具有出色的擊穿電壓均勻性和增益均勻性,保證了測量的準(zhǔn)確性和一致性。
環(huán)境適應(yīng)性:
工作溫度范圍從-20°C到+60°C,能夠適應(yīng)各種環(huán)境條件下的應(yīng)用。
無鉛設(shè)計(jì):
產(chǎn)品符合RoHS和REACH標(biāo)準(zhǔn),無鉛設(shè)計(jì)使其更加環(huán)保和安全。
其他特性:
提供了32個(gè)背面觸點(diǎn),支持回流焊接,便于系統(tǒng)集成。
使用了高透明度的環(huán)氧樹脂保護(hù)層,保護(hù)陣列免受外界環(huán)境的損害。
應(yīng)用領(lǐng)域
X射線和伽馬射線檢測:在醫(yī)療、科研和工業(yè)領(lǐng)域用于X射線和伽馬射線的精確檢測。
核醫(yī)學(xué):在核醫(yī)學(xué)中,用于精確測量和檢測放射性物質(zhì)。
正電子發(fā)射斷層掃描(PET):提高PET成像的靈敏度和準(zhǔn)確性。
安全與安保:在安全和安保領(lǐng)域,用于檢測和識別放射性物質(zhì)。
物理實(shí)驗(yàn):在物理實(shí)驗(yàn)中,用于粒子探測和光子計(jì)數(shù)等應(yīng)用。
技術(shù)規(guī)格
陣列尺寸:未提供具體尺寸,但基于4×4陣列和每個(gè)SiPM為6mm × 6mm,可以推算出整體尺寸。
單元間距:未直接提供,但可以參考其他Broadcom SiPM產(chǎn)品的單元間距作為參考。
工作溫度范圍:-20°C至+60°C。
符合標(biāo)準(zhǔn):RoHS和REACH。
總結(jié)
Broadcom AFBR-S4N44P164M 4×4 NUV-MT光電倍增器陣列以其高靈敏度、大面積覆蓋、均勻性和環(huán)境適應(yīng)性等特點(diǎn),在多個(gè)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。特別是在需要高靈敏度光子計(jì)數(shù)的應(yīng)用中,如X射線、伽馬射線檢測和核醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域,這款SiPM陣列展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢。
責(zé)任編輯:David
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