原標(biāo)題：ROHM Semiconductor BSS138B Nch 60V 400mA小信號(hào)mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用

ROHM Semiconductor的BSS138B Nch 60V 400mA小信號(hào)MOSFET是一款功能強(qiáng)大的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于各種電子電路中。以下是對(duì)該產(chǎn)品的詳細(xì)介紹、特性及應(yīng)用領(lǐng)域的歸納：

介紹

BSS138B Nch 60V 400mA小信號(hào)MOSFET采用SOT-23封裝，內(nèi)置有單極N溝道60V 400mA MOSFET和ESD保護(hù)二極管。這款產(chǎn)品以其出色的電氣性能和可靠性，在電子行業(yè)中廣受好評(píng)。

特性

1. 電氣參數(shù)：

• VGS=2.5V時(shí)，典型值為1Ω

• VGS=4.5V時(shí)，典型值為0.58Ω

• VGS=10V時(shí)，典型值為0.49Ω

• 漏源極電壓（VDSS）：60V

• 漏極電流（ID）：400mA

• 柵源極電壓最大值（VGSS）：未明確給出，但通常與漏源極電壓相關(guān)

• 導(dǎo)通電阻（RDS(on)）：

• 功耗（PD）：0.35W

2. 封裝與尺寸：

• 封裝形式：SOT-23

• 封裝尺寸（mm）：2.9x2.4 (t=1.2)

1. 其他特性：

• 超快開關(guān)速度：非常適合需要快速響應(yīng)的電路應(yīng)用。

• 超低電壓驅(qū)動(dòng)：僅需2.5V即可驅(qū)動(dòng)，適用于低電壓工作環(huán)境。

• ESD保護(hù)：內(nèi)置ESD保護(hù)二極管，提供高達(dá)2kV（HBM）的靜電防護(hù)能力。

• 環(huán)保認(rèn)證：符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無(wú)鉛環(huán)保。

• 溫度范圍：存儲(chǔ)溫度范圍為-55°C至+150°C，適應(yīng)各種工作環(huán)境。

應(yīng)用

BSS138B Nch 60V 400mA小信號(hào)MOSFET由于其出色的電氣性能和可靠性，廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：

1. 開關(guān)電路：作為開關(guān)元件，在數(shù)字電路和模擬電路中實(shí)現(xiàn)信號(hào)的通斷控制。

2. 低邊負(fù)載開關(guān)：在需要控制負(fù)載通斷的電路中，作為低邊開關(guān)使用，有效管理電流和電壓。

3. 繼電器驅(qū)動(dòng)器：驅(qū)動(dòng)繼電器等執(zhí)行元件，實(shí)現(xiàn)電路的自動(dòng)化控制。

4. 電池供電系統(tǒng)：由于其低功耗和高效能，特別適用于電池供電的便攜式設(shè)備中。

5. 固態(tài)繼電器驅(qū)動(dòng)：在需要高可靠性和長(zhǎng)壽命的固態(tài)繼電器驅(qū)動(dòng)電路中，作為關(guān)鍵元件使用。

綜上所述，ROHM Semiconductor的BSS138B Nch 60V 400mA小信號(hào)MOSFET憑借其出色的電氣性能、可靠性和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，在電子行業(yè)中具有重要地位。