原標(biāo)題：安森美發(fā)布高性能、低損耗的SUPERFET VMOSFET系列，應(yīng)用于服務(wù)器和電信

安森美（onsemi）發(fā)布的高性能、低損耗的SUPERFET V MOSFET系列，在服務(wù)器和電信領(lǐng)域具有顯著的應(yīng)用優(yōu)勢。以下是該系列MOSFET的詳細(xì)介紹：

一、產(chǎn)品發(fā)布與特點

• 發(fā)布時間：安森美在2021年12月8日發(fā)布了新的600 V SUPERFET V MOSFET系列。

• 主要特點：

1. 高性能與低損耗：這些器件提供卓越的開關(guān)特性，使電源能夠符合嚴(yán)苛的能效標(biāo)準(zhǔn)，如80 PLUS Titanium，特別是在極具挑戰(zhàn)性的10%負(fù)載條件下。

2. 出色的開關(guān)特性：SUPERFET V系列MOSFET具有較低的門極噪聲，有助于降低電磁干擾(EMI)，對服務(wù)器和電信系統(tǒng)尤為重要。

3. 增強(qiáng)系統(tǒng)可靠性：強(qiáng)固的體二極管和較高的VGSS(DC ±30 V)增強(qiáng)了系統(tǒng)可靠性。

二、產(chǎn)品優(yōu)化與版本

• 產(chǎn)品組優(yōu)化：600 V SUPERFET系列下的三個產(chǎn)品組——FAST、Easy Drive和FRFET，經(jīng)過優(yōu)化，可在各種不同的應(yīng)用和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中提供領(lǐng)先同類的性能。

1. FAST版本：在硬開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)（如高端PFC）中提供極高能效，并經(jīng)過優(yōu)化以提供更低的門極電荷(Qg)和EOSS損耗，實現(xiàn)快速開關(guān)。主要器件包括NTNL041N60S5H和NTHL185N60S5H等。

2. Easy Drive版本：適用于硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，包含一個內(nèi)置門極電阻(Rg)及經(jīng)優(yōu)化的內(nèi)置電容。主要器件如NTHL099N60S5和NTHL120N60S5Z等。

3. FRFET版本：適用于軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，如移相全橋(PSFB)和LLC。主要優(yōu)勢是快速體二極管，并提供降低的Qrr和Trr。主要器件如NTP125N60S5FZ和NTMT061N60S5F等。

三、應(yīng)用優(yōu)勢與案例

• 應(yīng)用優(yōu)勢：

1. 能效提升：SUPERFET V系列MOSFET能夠滿足80 PLUS Titanium的能效要求，確保服務(wù)器和電信設(shè)備在高效能狀態(tài)下運行。

2. 系統(tǒng)可靠性：通過強(qiáng)固的體二極管和高VGSS，提高了系統(tǒng)整體的可靠性和穩(wěn)定性。

3. 降低電磁干擾：出色的開關(guān)特性和較低的門極噪聲有助于減少電磁干擾，為服務(wù)器和電信系統(tǒng)提供更干凈的工作環(huán)境。

• 應(yīng)用案例：這些高性能、低損耗的MOSFET廣泛應(yīng)用于服務(wù)器和電信設(shè)施的供電系統(tǒng)中，為這些高負(fù)載、高能效要求的設(shè)備提供可靠的電力支持。

四、公司背景與實力

• 公司簡介：安森美（onsemi）是領(lǐng)先的智能電源和智能感知技術(shù)供應(yīng)商，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)、消費和通信等領(lǐng)域。

• 技術(shù)實力：安森美在半導(dǎo)體技術(shù)方面擁有深厚的積累和創(chuàng)新實力，不斷推出高性能、低功耗的產(chǎn)品以滿足市場需求。

綜上所述，安森美發(fā)布的高性能、低損耗的SUPERFET V MOSFET系列在服務(wù)器和電信領(lǐng)域具有顯著的應(yīng)用優(yōu)勢，為這些領(lǐng)域的設(shè)備提供了更高效、更可靠的電力支持。