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LDO基礎(chǔ)知識(shí):防止反向電流

來源: 21ic
2021-11-25
類別:基礎(chǔ)知識(shí)
eye 40
文章創(chuàng)建人 拍明

原標(biāo)題:LDO基礎(chǔ)知識(shí):防止反向電流

LDO(Low Dropout Regulator,低壓差線性穩(wěn)壓器)在電源管理系統(tǒng)中扮演著重要角色,其特點(diǎn)是在輸入輸出電壓差較小的情況下仍能保持穩(wěn)定的輸出電壓。然而,在使用LDO時(shí),需要特別注意防止反向電流的問題,因?yàn)榉聪螂娏骺赡軙?huì)對(duì)LDO造成損壞。以下是對(duì)LDO防止反向電流基礎(chǔ)知識(shí)的詳細(xì)解析:

一、反向電流的定義與危害

反向電流是指從LDO的輸出端(VOUT)流向輸入端(VIN)的電流,這種電流通常會(huì)穿過LDO內(nèi)部的體二極管,而不會(huì)流過正常的導(dǎo)電通道。反向電流可能會(huì)導(dǎo)致器件溫度升高、出現(xiàn)電遷移或閂鎖效應(yīng),從而引發(fā)器件損壞問題。

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二、防止反向電流的方法

為了防止反向電流對(duì)LDO造成損害,可以采取以下幾種方法:

  1. 使用肖特基二極管

    • 原理:在輸出和輸入之間使用肖特基二極管,當(dāng)輸出電壓超過輸入電壓時(shí),肖特基二極管會(huì)先于內(nèi)部體二極管導(dǎo)通,從而防止反向電流通過內(nèi)部體二極管。

    • 優(yōu)勢(shì):肖特基二極管的正向電壓較低,因此反向電流會(huì)先通過外部肖特基二極管流向輸入端,不會(huì)損壞LDO。同時(shí),這種方法不會(huì)增大LDO的壓降電壓。

    • 應(yīng)用示例:在Vin與Vout之間反并聯(lián)一個(gè)肖特基二極管,或者在輸入端串聯(lián)肖特基二極管來防止反向電流。

  2. 在LDO之前使用二極管

    • 原理:在LDO之前串聯(lián)一個(gè)二極管,以防止電流流回到電源。這種方法在反向電流條件下會(huì)使二極管變?yōu)榉聪蚱脿顟B(tài),不允許任何電流流過。

    • 優(yōu)勢(shì):這是一種有效的防止反向電流的方法,但會(huì)增大防止LDO出現(xiàn)壓降所需的必要輸入電壓。

  3. 額外增加一個(gè)FET

    • 原理:設(shè)計(jì)有阻止反向電流功能的LDO通常會(huì)額外增加一個(gè)FET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管),以幫助防止反向電流。兩個(gè)FET的源級(jí)背靠背放置,以便體二極管面對(duì)面放置。當(dāng)檢測(cè)到反向電流條件時(shí),其中一個(gè)晶體管將斷開,從而阻止電流流動(dòng)。

    • 優(yōu)勢(shì):這種方法省去了MOSFET的體二極管,但可能會(huì)使壓降電壓翻倍。為降低壓降電壓,需要增大MOSFET的尺寸,從而可能增大解決方案的整體尺寸。

三、總結(jié)

防止反向電流是LDO設(shè)計(jì)中需要考慮的重要問題。通過采用適當(dāng)?shù)姆椒?,如使用肖特基二極管、在LDO之前使用二極管或額外增加一個(gè)FET,可以有效地防止反向電流對(duì)LDO造成損害。在選擇具體方法時(shí),需要根據(jù)實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景和系統(tǒng)要求綜合考慮。

請(qǐng)注意,以上信息僅供參考,具體設(shè)計(jì)時(shí)還需參考LDO的數(shù)據(jù)手冊(cè)和相關(guān)的電路設(shè)計(jì)指導(dǎo)。


責(zé)任編輯:David

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