GaN快充市場賽道提速,SRII交付半導(dǎo)體晶圓設(shè)備助力中國產(chǎn)能擴(kuò)充


原標(biāo)題:GaN快充市場賽道提速,SRII交付半導(dǎo)體晶圓設(shè)備助力中國產(chǎn)能擴(kuò)充
GaN(氮化鎵)快充市場近年來確實(shí)在加速發(fā)展,其背后的驅(qū)動力主要來自于消費(fèi)電子市場,尤其是智能手機(jī)、筆記本電腦等設(shè)備的快充需求不斷增長。SRII(此處可能指的是某家公司或品牌,但具體名稱可能因不同語境而有所變化,考慮到信息的準(zhǔn)確性和通用性,我將直接討論相關(guān)技術(shù)和設(shè)備如何助力中國產(chǎn)能擴(kuò)充)通過交付半導(dǎo)體晶圓設(shè)備,在這一領(lǐng)域發(fā)揮了重要作用。
一、GaN快充市場的發(fā)展現(xiàn)狀
市場增長:隨著蘋果公司等科技巨頭推出高功率GaN快充產(chǎn)品,如140W氮化鎵快充,以智能手機(jī)、筆記本電腦為代表的消費(fèi)電子快充市場迎來了重要拐點(diǎn)。近兩年來,全球GaN充電器的出貨量已經(jīng)突破了數(shù)千萬只,顯示出強(qiáng)勁的市場需求。
市場規(guī)模預(yù)測:根據(jù)Yole Développement等權(quán)威機(jī)構(gòu)的預(yù)測,到2026年,全球GaN功率器件的市場規(guī)模有望達(dá)到11億美元,年復(fù)合增長率將達(dá)到70%,其中消費(fèi)類市場是主要驅(qū)動力。這表明GaN快充市場在未來幾年內(nèi)將繼續(xù)保持高速增長。
二、SRII(或相關(guān)公司)的貢獻(xiàn)
技術(shù)設(shè)備支持:為了應(yīng)對GaN功率器件的大規(guī)模量產(chǎn)需求,除了襯底外延等相關(guān)制造設(shè)備外,針對功率器件關(guān)鍵工序的沉積鍍膜設(shè)備也迎來了更龐大的市場需求。SRII(或類似公司,如文中提到的思銳智能)通過推出業(yè)界領(lǐng)先的量產(chǎn)型ALD沉積設(shè)備,如Beneq Transform系列,助力中國市場的第三代半導(dǎo)體龍頭客戶加速其GaN產(chǎn)線的擴(kuò)充。
技術(shù)創(chuàng)新:這些設(shè)備憑借成熟、穩(wěn)定的多片沉積工藝,提供了卓越的沉積鍍膜生產(chǎn)效率、鍍膜均勻性以及納米級膜厚精準(zhǔn)控制等優(yōu)勢。特別是通過加入預(yù)加熱模塊等技術(shù)創(chuàng)新,顯著縮短了設(shè)備的常規(guī)升溫時間,提高了產(chǎn)能,打破了業(yè)界對于ALD沉積速率偏慢的刻板印象。
客戶認(rèn)可與合作:SRII(或思銳智能)憑借其技術(shù)先進(jìn)性和量產(chǎn)化優(yōu)勢,迅速獲得了客戶的認(rèn)可。例如,成功交付的Beneq Transform Lite設(shè)備幫助中國市場的第三代半導(dǎo)體龍頭客戶完成了從中試到相當(dāng)規(guī)模量產(chǎn)的過渡,并計(jì)劃進(jìn)一步幫助客戶完成沉積工藝延伸產(chǎn)線的搭建及相關(guān)的量產(chǎn)調(diào)試。
三、中國GaN快充市場的未來展望
市場規(guī)模擴(kuò)大:隨著國產(chǎn)供應(yīng)鏈的成熟和替代力度的加大,中國GaN快充市場規(guī)模將持續(xù)擴(kuò)大。預(yù)計(jì)到2026年,中國氮化鎵充電器市場規(guī)模將上升到50億元,顯示出巨大的市場潛力。
技術(shù)創(chuàng)新與應(yīng)用拓展:在快充技術(shù)的推動下,GaN材料不僅在消費(fèi)電子領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用,還將在光電子、激光器、高溫大功率器件和高頻微波器件等領(lǐng)域展現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景。隨著技術(shù)的不斷創(chuàng)新和應(yīng)用領(lǐng)域的拓展,GaN快充市場將迎來更加廣闊的發(fā)展空間。
綜上所述,GaN快充市場賽道正在加速發(fā)展,SRII(或類似公司)通過交付半導(dǎo)體晶圓設(shè)備和技術(shù)創(chuàng)新,為中國產(chǎn)能擴(kuò)充提供了有力支持。未來,隨著市場規(guī)模的擴(kuò)大和技術(shù)的不斷創(chuàng)新,GaN快充市場將迎來更加繁榮的發(fā)展局面。
責(zé)任編輯:David
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