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從夜視到“元宇宙”入口設(shè)備,ALD光學(xué)鍍膜不斷突破

來(lái)源: 中電網(wǎng)
2021-09-27
類別:業(yè)界動(dòng)態(tài)
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文章創(chuàng)建人 拍明

原標(biāo)題:從夜視到“元宇宙”入口設(shè)備,ALD光學(xué)鍍膜不斷突破

從夜視到“元宇宙”入口設(shè)備,ALD(原子層沉積技術(shù))光學(xué)鍍膜在技術(shù)和市場(chǎng)應(yīng)用上不斷取得突破,主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面:

一、技術(shù)突破

  1. 高精度與均勻性

    • ALD技術(shù)以其出色的膜層厚度均勻性、保形性和高性價(jià)比,在現(xiàn)代光學(xué)鍍膜領(lǐng)域受到越來(lái)越多的重視。它能夠?qū)崿F(xiàn)納米級(jí)的精確控制,確保薄膜的厚度和成分滿足各種復(fù)雜應(yīng)用的需求。

    • ALD工藝通過(guò)交替引入前驅(qū)體氣體,在襯底表面逐層生長(zhǎng)薄膜,每一步反應(yīng)后都進(jìn)行氣體的凈化和排放,以確保反應(yīng)的純凈性和薄膜的質(zhì)量。這種逐層生長(zhǎng)的方式使得ALD工藝在復(fù)雜幾何形狀和高縱深比的結(jié)構(gòu)上也能實(shí)現(xiàn)均勻的薄膜生長(zhǎng)。

  2. 適用范圍廣

    • ALD技術(shù)適用于在三維結(jié)構(gòu)的部件產(chǎn)品,尤其是帶有較大深寬比結(jié)構(gòu)的溝槽、微孔以及復(fù)雜曲面的產(chǎn)品上沉積高保形、高致密、高均勻性的光學(xué)薄膜。這種特性有效地彌補(bǔ)了現(xiàn)有PVD(物理氣相沉積)等技術(shù)的不足。

  3. 創(chuàng)新與發(fā)展

    • 為了進(jìn)一步提升ALD的鍍膜速度,以滿足大規(guī)模生產(chǎn)的需求,業(yè)界不斷探索新技術(shù)。例如,思銳智能展示的C2R旋轉(zhuǎn)等離子體增強(qiáng)型ALD(PEALD),將空間ALD技術(shù)與等離子技術(shù)相結(jié)合,顯著提高了鍍膜速度,同時(shí)保持了ALD技術(shù)的優(yōu)異性能。

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二、市場(chǎng)應(yīng)用突破

  1. 夜視產(chǎn)品

    • 在夜視產(chǎn)品的生產(chǎn)中,ALD技術(shù)被廣泛應(yīng)用于在大面積、高深寬比的微通道板中沉積高保形電阻和發(fā)射層薄膜材料。這些薄膜材料能夠提高微通道板的二次電子產(chǎn)額,增強(qiáng)產(chǎn)品性能,如將弱光放大為強(qiáng)光,實(shí)現(xiàn)光的放大效果。

  2. 光學(xué)系統(tǒng)

    • ALD技術(shù)在光學(xué)系統(tǒng)中的應(yīng)用也非常廣泛。例如,在衍射光柵中填充高折射材料以產(chǎn)生平坦的光柵結(jié)構(gòu),保持光柵結(jié)構(gòu)清潔;在相機(jī)透鏡上沉積均勻的減反增透薄膜材料以提高成像質(zhì)量;在硅基微顯示(Micro-OLED)薄膜封裝中,ALD技術(shù)能夠制作非常致密的、保護(hù)性好的薄膜,有效阻隔水和氧,提高OLED的使用壽命。

  3. 元宇宙入口設(shè)備

    • 隨著“元宇宙”概念的興起,AR/VR等消費(fèi)類終端作為元宇宙的重要場(chǎng)景入口設(shè)備,其創(chuàng)新發(fā)展對(duì)光學(xué)鍍膜設(shè)備提出了更高的要求。ALD技術(shù)因其高精度、高均勻性和廣泛的適用性,在AR/VR設(shè)備的光學(xué)鍍膜中展現(xiàn)出巨大的潛力。例如,在Micro-OLED的生產(chǎn)中,ALD技術(shù)已經(jīng)成為必備的生產(chǎn)工藝之一。

三、未來(lái)展望

隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和市場(chǎng)的持續(xù)拓展,ALD光學(xué)鍍膜有望在更多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破和應(yīng)用。例如,在半導(dǎo)體集成電路行業(yè)中,隨著電子器件的不斷微型化和集成化發(fā)展,ALD技術(shù)憑借其優(yōu)異的薄膜沉積性能,有望在芯片制造中發(fā)揮更大的作用。同時(shí),隨著“元宇宙”等新興技術(shù)的不斷發(fā)展,對(duì)光學(xué)鍍膜設(shè)備的需求也將持續(xù)增長(zhǎng),為ALD技術(shù)的發(fā)展提供更廣闊的市場(chǎng)空間。


責(zé)任編輯:David

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