原標(biāo)題：意法半導(dǎo)體高能效功率變換應(yīng)用，推出新的 45W和150W GaN 產(chǎn)品

意法半導(dǎo)體針對(duì)高能效功率變換應(yīng)用，推出了新的45W和150W GaN（氮化鎵）產(chǎn)品，分別是MasterGaN3和MasterGaN5。這兩款產(chǎn)品作為集成功率系統(tǒng)封裝，為設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)式電源、充電器、適配器、高壓功率因數(shù)校正(PFC)和DC/DC變換器的工程師提供了更多的選擇和靈活性。以下是關(guān)于這兩款產(chǎn)品的詳細(xì)介紹：

一、產(chǎn)品特點(diǎn)

1. 高能效與小型化：

• GaN晶體管能夠?qū)崿F(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)頻率，這使得新的集成功率系統(tǒng)封裝能夠使電源尺寸比基于硅的設(shè)計(jì)縮小80%，同時(shí)具有很高的穩(wěn)健性和可靠性。

2. 集成化設(shè)計(jì)：

• MasterGaN3和MasterGaN5均集成兩個(gè)650V功率晶體管、優(yōu)化的高壓柵極驅(qū)動(dòng)器和相關(guān)的安全保護(hù)電路。這種設(shè)計(jì)消除了柵極驅(qū)動(dòng)器和電路布局設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)流程。

3. 靈活的應(yīng)用場(chǎng)景：

• MasterGaN3的兩個(gè)GaN功率晶體管的導(dǎo)通電阻值(Rds(on))不相等，分別為225mΩ和450mΩ，使其適用于軟開(kāi)關(guān)和有源整流變換器。

• MasterGaN5中兩個(gè)晶體管的導(dǎo)通電阻值均為450mΩ，適用于LLC諧振和有源鉗位反激變換器等拓?fù)洹?/span>

4. 廣泛的兼容性：

• 這兩款器件都兼容3.3V至15V邏輯信號(hào)的輸入，簡(jiǎn)化了與DSP處理器、FPGA或微控制器等主控制器和霍爾傳感器等外部設(shè)備的連接。

5. 安全保護(hù)功能：

• 新產(chǎn)品集成了多種安全保護(hù)功能，包括高低邊欠壓鎖定(UVLO)、柵極驅(qū)動(dòng)器互鎖、過(guò)熱保護(hù)和關(guān)斷引腳，提高了系統(tǒng)的整體安全性和可靠性。

二、產(chǎn)品配套

• 每款MasterGaN產(chǎn)品都配有一個(gè)專(zhuān)用的原型開(kāi)發(fā)板（如EVALMASTERGAN3和EVALMASTERGAN5），這些開(kāi)發(fā)板包含單端或互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)信號(hào)發(fā)生器電路、可調(diào)的死區(qū)時(shí)間發(fā)生器以及相關(guān)的設(shè)備接口，方便用戶采用不同的輸入信號(hào)或PWM信號(hào)進(jìn)行測(cè)試和調(diào)試。

三、量產(chǎn)與封裝

• MasterGaN3和MasterGaN5現(xiàn)已量產(chǎn)，并采用針對(duì)高壓應(yīng)用優(yōu)化的9mm x 9mm GQFN封裝，高低壓焊盤(pán)間爬電距離為2mm。

四、公司背景

意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）是一家擁有46,000名半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)造者和創(chuàng)新者的公司，掌握半導(dǎo)體供應(yīng)鏈和先進(jìn)的制造設(shè)備。作為一家獨(dú)立的半導(dǎo)體設(shè)備制造商，意法半導(dǎo)體與十萬(wàn)余客戶、數(shù)千名合作伙伴共同研發(fā)產(chǎn)品和解決方案，構(gòu)建生態(tài)系統(tǒng)，以應(yīng)對(duì)各種挑戰(zhàn)和新機(jī)遇，滿足世界對(duì)可持續(xù)發(fā)展的更高需求。

綜上所述，意法半導(dǎo)體的MasterGaN3和MasterGaN5產(chǎn)品以其高能效、小型化、集成化設(shè)計(jì)以及廣泛的安全保護(hù)功能和兼容性，為高能效功率變換應(yīng)用提供了理想的解決方案。