和SAM3X8ERT –面向太空應(yīng)用的耐輻射以太網(wǎng)收發(fā)器和嵌入式微控制器


VSC8541RT和SAM3X8ERT是Microchip Technology Inc.(美國(guó)微芯科技公司)推出的面向太空應(yīng)用的耐輻射以太網(wǎng)收發(fā)器和嵌入式微控制器。以下是關(guān)于這兩款產(chǎn)品的詳細(xì)介紹:
VSC8541RT耐輻射以太網(wǎng)收發(fā)器
主要特點(diǎn):
是業(yè)界首款宇航級(jí)耐輻射以太網(wǎng)收發(fā)器。
提供了衛(wèi)星和其他航天器之間互操作性的可能性,所有這些都基于商用現(xiàn)貨(COTS)解決方案。
具有GMII、RGMII、MII和RMII接口的單端口千兆以太網(wǎng)銅PHY。
在125°C下,LET(Linear Energy Transfer,線性能量轉(zhuǎn)移)閾值低于78 MeV·cm2/mg時(shí)沒有單事件閂鎖(SEL)。
提供了卓越的輻射結(jié)果,同時(shí)提供具有航天級(jí)認(rèn)證級(jí)別的高性能陶瓷封裝解決方案。
閉鎖抗擾度高達(dá)78 Mev,可耐受100 Krad的總電離劑量效應(yīng)值(TID)。
應(yīng)用范圍:
運(yùn)載火箭
衛(wèi)星組網(wǎng)
太空站
其他需要高可靠性和耐輻射性能的以太網(wǎng)通信解決方案的場(chǎng)合
SAM3X8ERT耐輻射嵌入式微控制器
主要特點(diǎn):
是Microchip最新的Arm Cortex-M3核心處理器和嵌入式以太網(wǎng)控制器。
旨在滿足行業(yè)對(duì)單獨(dú)或組合的耐輻射設(shè)備的需求。
ARM Cortex-M3修訂版2.0的運(yùn)行頻率高達(dá)84 MHz,提供100 DMIPS的收益。
在105°C下,LET閾值低于62 MeV·cm2/mg時(shí)沒有任何單事件閂鎖。
提供了與工業(yè)變體相同的生態(tài)系統(tǒng)。
除了以太網(wǎng)功能之外,還嵌入了512 KB雙存儲(chǔ)區(qū)閃存、100 KB SRAM、ADC和DAC以及雙CAN控制器。
應(yīng)用范圍:
可用于衛(wèi)星平臺(tái)的數(shù)據(jù)和傳感器總線控制的有效載荷。
遠(yuǎn)程終端通信
航天器網(wǎng)絡(luò)
空間站中的模塊連接性
其他需要高可靠性和耐輻射性能的嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用
共同特點(diǎn)與優(yōu)勢(shì)
COTS基礎(chǔ):兩款產(chǎn)品均以COTS為基礎(chǔ),按照高度可靠的質(zhì)量流程打造,具有更高的耐輻射性能。
封裝規(guī)格:提供塑料和陶瓷兩種封裝規(guī)格,以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
引腳分配:COTS產(chǎn)品和同等宇航級(jí)產(chǎn)品采用相同的引腳分配模式,便于設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)過(guò)程中從COTS器件遷移到宇航級(jí)元件,從而大幅縮短開發(fā)時(shí)間、降低開發(fā)成本。
綜上所述,VSC8541RT和SAM3X8ERT作為面向太空應(yīng)用的耐輻射以太網(wǎng)收發(fā)器和嵌入式微控制器,以其出色的耐輻射性能、高可靠性和靈活的應(yīng)用范圍,在太空通信和嵌入式系統(tǒng)領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
責(zé)任編輯:David
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