原標題：合作共贏兩翼齊飛 華虹半導體攜手斯達半導打造車規(guī)級IGBT芯片暨12英寸IGBT規(guī)模量產(chǎn)

華虹半導體與斯達半導的合作共贏，確實如同“兩翼齊飛”，共同推動了車規(guī)級IGBT芯片的研發(fā)與12英寸IGBT的規(guī)模量產(chǎn)。以下是對這一合作的詳細解讀：

一、合作背景與意義

在新能源汽車、工業(yè)自動化等領(lǐng)域快速發(fā)展的背景下，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）作為電力電子裝置的核心器件，其需求量急劇增加。華虹半導體作為全球領(lǐng)先的特色工藝純晶圓代工企業(yè)，與斯達半導——中國IGBT行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)攜手合作，共同致力于車規(guī)級IGBT芯片的研發(fā)與量產(chǎn)，對于加速中國芯片國產(chǎn)化進程、提升國產(chǎn)IGBT在全球市場的競爭力具有重要意義。

二、合作成果與亮點

1. 高功率車規(guī)級IGBT芯片量產(chǎn)：雙方共同打造的高功率車規(guī)級IGBT芯片，已通過終端車企產(chǎn)品驗證，并廣泛進入了動力單元等汽車應用市場。這一成果標志著中國在高功率車規(guī)級IGBT芯片領(lǐng)域取得了重要突破。

2. 12英寸IGBT規(guī)模量產(chǎn)：華虹半導體成功將8英寸IGBT技術(shù)導入12英寸生產(chǎn)線，并通過不到一年的研發(fā)，在12英寸生產(chǎn)線上成功建立了IGBT晶圓生產(chǎn)工藝。目前，華虹半導體12英寸IGBT產(chǎn)出已超10000片晶圓，各項電性參數(shù)均保持優(yōu)異水平。這一成果使得華虹半導體成為全球首家同時在8英寸和12英寸生產(chǎn)線量產(chǎn)先進型溝槽柵電場截止型（FS）IGBT的純晶圓代工企業(yè)。

3. 多領(lǐng)域應用：雙方合作研發(fā)的IGBT產(chǎn)品已廣泛應用于汽車電子、變頻器、逆變焊機、UPS、光伏/風力發(fā)電、白色家電等多個領(lǐng)域。特別是在汽車電子領(lǐng)域，由斯達半導設計、華虹半導體制造的車規(guī)級IGBT芯片已經(jīng)大量應用，為國內(nèi)汽車市場的快速發(fā)展提供了有力保障。

三、合作優(yōu)勢與前景

1. 優(yōu)勢互補：華虹半導體擁有近二十年的功率器件研發(fā)經(jīng)驗，針對車規(guī)級IGBT的大電流、低損耗、耐高溫、更高安全性的特別要求，采取了更嚴苛的管控措施。而斯達半導則專注于IGBT芯片和模塊的設計、制造和測試，是國內(nèi)唯一一家進入世界前10名的IGBT模塊供應商。雙方的合作實現(xiàn)了優(yōu)勢互補，共同推動了IGBT技術(shù)的創(chuàng)新與發(fā)展。

2. 市場拓展：隨著新能源汽車市場的持續(xù)增長和工業(yè)自動化領(lǐng)域的快速發(fā)展，IGBT的需求量將持續(xù)增加。華虹半導體與斯達半導的合作將有助于拓展IGBT產(chǎn)品的應用范圍和市場占有率，為中國芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入新的動力。

3. 技術(shù)提升：通過與斯達半導的合作，華虹半導體的IGBT技術(shù)得到了不斷完善和提高。雙方將繼續(xù)加強技術(shù)與產(chǎn)品創(chuàng)新，加速拓展車用市場，著力壯大新的增長點，為打造優(yōu)質(zhì)IGBT“中國芯”而不懈努力。

綜上所述，華虹半導體與斯達半導的合作共贏，不僅推動了車規(guī)級IGBT芯片的研發(fā)與12英寸IGBT的規(guī)模量產(chǎn)，還為中國芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入了新的活力。雙方將繼續(xù)攜手共進，共同開創(chuàng)更加美好的未來。