產品分類
transhorm 650V GaN fet TO-247封裝的介紹、特性、及應用
33
拍明
原標題：transhorm 650V GaN fet TO-247封裝的介紹、特性、及應用
您想了解的可能是Transphorm公司的650V GaN FET TO-247封裝產品，以下是對其介紹、特性及應用的詳細闡述：
一、介紹
Transphorm是全球領先的氮化鎵（GaN）功率半導體供應商，其推出的650V GaN FET TO-247封裝產品，如TP65H035G4YS和TP65H050G4YS，是針對高功率服務器、可再生能源、工業(yè)電力轉換等領域而設計的。這些產品采用了Transphorm成熟的硅襯底氮化鎵制程，不僅可靠性高，而且具有良好的成本效益，非常適合現(xiàn)有硅基生產線量產。
二、特性
低導通電阻：
TP65H035G4YS和TP65H050G4YS分別具有35毫歐和50毫歐的導通電阻，有助于降低能量損耗。
四引腳封裝：
采用TO-247-4L封裝，相比傳統(tǒng)的三引腳封裝，增加了一個引腳用于柵極驅動的信號源端子，實現(xiàn)了Kelvin連接，提高了MOSFET的開關速度。
高性能：
在硬開關同步升壓型轉換器中，與導通電阻相當?shù)腟iC MOSFET相比，35毫歐的SuperGaN 4引腳FET器件在50千赫茲（kHz）下?lián)p耗減少了15%，而在100kHz下的損耗則降低了27%。
穩(wěn)健性：
具有業(yè)界領先的穩(wěn)健性，如+/-20V柵極閾值和4V抗擾性，確保在各種應用環(huán)境下的可靠性。
易設計性和易驅動性：
SuperGaN FET能使用硅器件所常用的市售驅動器，減少了器件周邊所需電路，降低了設計復雜度。
三、應用
數(shù)據(jù)中心：
在一千瓦及以上功率級的數(shù)據(jù)中心電源中，Transphorm的650V GaN FET TO-247封裝產品可作為原始設計選項，也可直接替代現(xiàn)有方案中的4引腳硅基和SiC器件，實現(xiàn)更低的電源系統(tǒng)損耗。
可再生能源：
適用于可再生能源的各種工業(yè)應用電源，如太陽能逆變器、風力發(fā)電系統(tǒng)等，提高能源轉換效率。
工業(yè)電力轉換：
在工業(yè)電力轉換領域，如電機驅動、電力電子變換器等，650V GaN FET TO-247封裝產品能夠提供高性能、低損耗的解決方案。
其他應用：
還可用于通信電源、電動汽車充電站等領域，滿足高功率、高效率的電源需求。
綜上所述，Transphorm的650V GaN FET TO-247封裝產品以其低導通電阻、四引腳封裝、高性能、穩(wěn)健性以及易設計性和易驅動性等特性，在數(shù)據(jù)中心、可再生能源、工業(yè)電力轉換等領域具有廣泛的應用前景。
責任編輯：David
【免責聲明】
1、本文內容、數(shù)據(jù)、圖表等來源于網(wǎng)絡引用或其他公開資料，版權歸屬原作者、原發(fā)表出處。若版權所有方對本文的引用持有異議，請聯(lián)系拍明芯城（marketing@iczoom.com），本方將及時處理。
2、本文的引用僅供讀者交流學習使用，不涉及商業(yè)目的。
3、本文內容僅代表作者觀點，拍明芯城不對內容的準確性、可靠性或完整性提供明示或暗示的保證。讀者閱讀本文后做出的決定或行為，是基于自主意愿和獨立判斷做出的，請讀者明確相關結果。
4、如需轉載本方擁有版權的文章，請聯(lián)系拍明芯城（marketing@iczoom.com）注明“轉載原因”。未經允許私自轉載拍明芯城將保留追究其法律責任的權利。
拍明芯城擁有對此聲明的最終解釋權。
相關資訊
：
芯片lm2596s開關電壓調節(jié)器的中文資料_引腳圖及功能_內部結構及原理圖_電路圖及封裝
28nm光刻機卡住“02專項”——對于督工部分觀點的批判（睡前消息353期）
2023手機傳感器排行榜,imx傳感器天梯圖排行榜2023
lt1083典型應用電路分析 LT1083構建7.5A穩(wěn)壓器
接近開關信號正常，可PLC就是沒輸入！
齊納二極管怎么使用
2012- 2022 拍明芯城ICZOOM.com 版權所有 客服熱線：400-693-8369 (9:00-18:00)
