晶體管篇之負(fù)載開關(guān)


原標(biāo)題:晶體管篇之負(fù)載開關(guān)
晶體管中的負(fù)載開關(guān)是一個(gè)重要的電子元件,它在電路中起到了開啟和關(guān)閉電源軌的作用,類似于電子繼電器。以下是對(duì)負(fù)載開關(guān)的詳細(xì)解析:
一、定義與功能
負(fù)載開關(guān)是集成電子繼電器,可用于開啟和關(guān)閉系統(tǒng)中的電源軌。它不僅具有開關(guān)功能,還能為系統(tǒng)提供其他優(yōu)勢(shì),如保護(hù)功能,這些功能通常難以用分立元件實(shí)現(xiàn)。
二、基本結(jié)構(gòu)
大部分基本負(fù)載開關(guān)包含四個(gè)引腳:輸入電壓引腳(VIN)、輸出電壓引腳(VOUT)、使能引腳(ON/OFF控制引腳)和接地引腳(GND)。當(dāng)通過使能引腳使能器件時(shí),導(dǎo)通FET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)接通,從而使電流從輸入引腳流向輸出引腳,電能傳遞到下游電路。
負(fù)載開關(guān)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)可能包括以下幾個(gè)模塊:
導(dǎo)通FET:負(fù)載開關(guān)的主要元件,決定了負(fù)載開關(guān)可處理的最大輸入電壓和最大負(fù)載電流。導(dǎo)通FET的導(dǎo)通電阻是計(jì)算負(fù)載開關(guān)功耗的重要參數(shù)。導(dǎo)通FET既可以是N溝道FET,也可以是P溝道FET,這將決定負(fù)載開關(guān)的架構(gòu)。
柵極驅(qū)動(dòng)器:以控制方式對(duì)FET的柵極進(jìn)行充放電,從而控制器件的上升時(shí)間。
控制邏輯:由外部邏輯信號(hào)驅(qū)動(dòng),控制導(dǎo)通FET和其他模塊(如快速輸出放電模塊、充電泵和帶保護(hù)功能的模塊)的接通和關(guān)斷。
電荷泵:用于帶有N溝道FET的負(fù)載開關(guān),因?yàn)闁艠O和源極(VOUT)間需要有正差分電壓才能正確接通FET。但并非所有負(fù)載開關(guān)中都包含電荷泵。
快速輸出放電模塊:一個(gè)連接VOUT到GND的片上電阻,當(dāng)禁用器件時(shí),該電阻導(dǎo)通,對(duì)輸出節(jié)點(diǎn)進(jìn)行放電,從而防止輸出浮空。
此外,不同的負(fù)載開關(guān)中還可能包括其他功能模塊,如熱關(guān)斷模塊、限流模塊和反向電流保護(hù)模塊等。
三、主要參數(shù)
負(fù)載開關(guān)的主要參數(shù)包括:
輸入電壓范圍(VIN):負(fù)載開關(guān)可支持的輸入電壓范圍。
偏置電壓范圍(VBIAS):負(fù)載開關(guān)可支持的偏置電壓范圍,用于為負(fù)載開關(guān)的內(nèi)部模塊供電。
最大連續(xù)電流(IMAX):負(fù)載開關(guān)可支持的最大連續(xù)直流電流。
導(dǎo)通狀態(tài)電阻(RON):在VIN引腳與VOUT引腳間測(cè)得的電阻,考慮了封裝和內(nèi)部導(dǎo)通FET的電阻。
關(guān)斷電流(ISD):禁用器件時(shí)流入VIN的電流量。
ON引腳輸入漏電流(ION):ON引腳上施加高電壓時(shí)流向ON引腳的電流量。
下拉電阻(RPD):禁用器件時(shí)從VOUT到GND的下拉電阻值。
四、應(yīng)用與優(yōu)勢(shì)
負(fù)載開關(guān)可用于多種不同的應(yīng)用,包括但不限于:
配電:在許多系統(tǒng)中,對(duì)子系統(tǒng)配電的控制有限。負(fù)載開關(guān)可用于接通和關(guān)斷輸入電壓相同的子系統(tǒng),而不使用多個(gè)DC/DC轉(zhuǎn)換器或LDO。通過對(duì)各個(gè)負(fù)載的控制,可以在不同負(fù)載間進(jìn)行配電。
上電排序和電源狀態(tài)轉(zhuǎn)換:在某些系統(tǒng)(尤其是帶有處理器的系統(tǒng))中,必須遵循嚴(yán)格的上電時(shí)序。負(fù)載開關(guān)可通過GPIO或I2C接口實(shí)現(xiàn)上電排序,提供每個(gè)電源路徑的獨(dú)立控制,從而簡(jiǎn)化上電排序的負(fù)載點(diǎn)控制。
減小待機(jī)模式下的漏電流:在許多設(shè)計(jì)中,存在只在特定工作模式期間使用的子系統(tǒng)。使用負(fù)載開關(guān)關(guān)閉這些子系統(tǒng)的電源,可以限制漏電流量和功耗。
浪涌電流控制:在沒有任何轉(zhuǎn)換率控制的情況下開啟子系統(tǒng)時(shí),可能會(huì)由于負(fù)載電容快速充電產(chǎn)生浪涌電流,導(dǎo)致輸入軌下陷。負(fù)載開關(guān)可以通過控制輸出電壓的上升時(shí)間來消除輸入電壓的下陷,從而解決此問題。
斷電控制:當(dāng)不帶快速輸出放電功能的DC/DC轉(zhuǎn)換器或LDO關(guān)閉時(shí),負(fù)載電壓保持浮空,斷電取決于負(fù)載。這可能導(dǎo)致出現(xiàn)預(yù)想外的動(dòng)作,因?yàn)橄掠文K并未在斷電后到達(dá)指定狀態(tài)。使用帶快速輸出放電功能的負(fù)載開關(guān)可緩解這些問題,使負(fù)載以受控方式快速斷電,并將復(fù)位為已知的良好狀態(tài)以備下次上電。
此外,負(fù)載開關(guān)還具有反向電流保護(hù)功能、ON引腳滯后功能、限流功能、欠壓鎖定(UVLO)功能和過熱保護(hù)功能等保護(hù)特性,可在不同應(yīng)用場(chǎng)景中發(fā)揮重要作用。
五、發(fā)展趨勢(shì)
隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展,負(fù)載開關(guān)也在不斷進(jìn)步和完善。未來,負(fù)載開關(guān)可能會(huì)朝著更高效率、更低功耗、更小體積和更高集成度的方向發(fā)展。同時(shí),隨著物聯(lián)網(wǎng)、智能家居和新能源汽車等領(lǐng)域的快速發(fā)展,負(fù)載開關(guān)的應(yīng)用范圍也將進(jìn)一步擴(kuò)大。
綜上所述,晶體管中的負(fù)載開關(guān)是一個(gè)功能強(qiáng)大且應(yīng)用廣泛的電子元件。通過了解其定義、功能、基本結(jié)構(gòu)、主要參數(shù)以及應(yīng)用與優(yōu)勢(shì)等方面的內(nèi)容,可以更好地理解和使用這一元件,為電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)提供有力支持。
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