意法半導(dǎo)體演示板EVALSTDRIVE101的介紹、特性、及布局結(jié)構(gòu)


原標(biāo)題:意法半導(dǎo)體演示板EVALSTDRIVE101的介紹、特性、及布局結(jié)構(gòu)
以下是意法半導(dǎo)體演示板EVALSTDRIVE101的詳細(xì)介紹:
一、介紹
EVALSTDRIVE101是意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)推出的一款演示板,它提供了用于STDRIVE101三半橋柵極驅(qū)動(dòng)器和STL110N10F7 STripFET? F7功率MOSFET的評(píng)估平臺(tái)。該演示板設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)三相無(wú)刷直流電機(jī),并可通過(guò)電機(jī)控制連接器連接不同的STM32微控制器。
二、特性
輸入總線(xiàn)電壓范圍:EVALSTDRIVE101的輸入總線(xiàn)電壓范圍為6V至75V,具有較寬的電壓適應(yīng)性。
輸出電流能力:該演示板的輸出電流高達(dá)20Arms,能夠滿(mǎn)足高電流應(yīng)用的需求。
功率級(jí):基于STL110N10F7 STripFET F7功率MOSFET的功率級(jí),提供高效的功率轉(zhuǎn)換。
兩種輸入策略:EVALSTDRIVE101支持兩種輸入策略,即啟用/輸入(帶可調(diào)節(jié)死區(qū)生成)和帶聯(lián)鎖的直接驅(qū)動(dòng),提供了靈活的輸入控制。
監(jiān)控功能:該演示板具有專(zhuān)用監(jiān)控功能,能夠監(jiān)控每個(gè)N溝道功率MOSFET上的漏源電壓,并向主機(jī)控制器提供異常信號(hào)。
欠壓鎖定功能:電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的低邊和高邊部分具有欠壓鎖定功能,可防止低效和潛在破壞性的開(kāi)關(guān)操作。
算法支持:EVALSTDRIVE101可配置為單分流和三分流,并支持兩種配置的FOC(磁場(chǎng)定向控制)和六步算法,適用于不同的電機(jī)控制策略。
三、布局結(jié)構(gòu)
EVALSTDRIVE101演示板的布局結(jié)構(gòu)緊湊且合理,主要包括以下幾個(gè)部分:
功率級(jí)部分:基于STL110N10F7 STripFET F7功率MOSFET的功率級(jí)電路,負(fù)責(zé)提供高效的功率轉(zhuǎn)換。
控制邏輯部分:包含STDRIVE101三半橋柵極驅(qū)動(dòng)器的控制邏輯電路,負(fù)責(zé)接收輸入信號(hào)并控制功率級(jí)的開(kāi)關(guān)操作。
輸入接口:提供電機(jī)控制連接器,用于連接不同的STM32微控制器,實(shí)現(xiàn)電機(jī)控制的靈活性。
監(jiān)控和保護(hù)電路:包括對(duì)每個(gè)N溝道功率MOSFET的漏源電壓進(jìn)行監(jiān)控的電路,以及提供欠壓鎖定等保護(hù)功能的電路。
輸出接口:提供用于連接三相無(wú)刷直流電機(jī)的輸出接口,實(shí)現(xiàn)電機(jī)的驅(qū)動(dòng)和控制。
此外,EVALSTDRIVE101演示板還采用了QFPN封裝形式的STDRIVE101芯片,尺寸為4mm x 4mm x 1mm,進(jìn)一步提高了其集成度和可靠性。
綜上所述,EVALSTDRIVE101是一款功能強(qiáng)大、易于使用的演示板,適用于對(duì)STDRIVE101三半橋柵極驅(qū)動(dòng)器和STL110N10F7 STripFET? F7功率MOSFET進(jìn)行性能評(píng)估和特性驗(yàn)證。通過(guò)其緊湊的布局結(jié)構(gòu)和豐富的功能特性,用戶(hù)可以方便地實(shí)現(xiàn)三相無(wú)刷直流電機(jī)的驅(qū)動(dòng)和控制。
責(zé)任編輯:David
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