ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2/W半橋閘門驅動器


原標題:ADuM4221/-1/-2/W半橋閘門驅動器
ADuM4221、ADuM4221-1、ADuM4221-2是亞德諾半導體(Analog Devices, Inc.,簡稱ADI)生產(chǎn)的4A隔離式半橋柵極驅動器系列,它們采用iCoupler技術,提供獨立和隔離的高側和低側輸出。以下是關于這些驅動器的詳細介紹:
一、產(chǎn)品概述
型號:ADuM4221、ADuM4221-1、ADuM4221-2
類型:4A隔離式半橋柵極驅動器
技術:iCoupler技術
輸出:獨立和隔離的高側和低側輸出
二、主要特性
高隔離電壓:提供5700V(rms)的隔離電壓,增加爬電距離,適用于高電壓應用。
寬輸入電壓范圍:邏輯輸入電壓范圍為2.5V到6.5V,與低電壓系統(tǒng)兼容。
高性能:結合了高速CMOS和單片變壓器技術,性能優(yōu)于其他替代方案,如脈沖變壓器和柵極驅動器的組合。
可調(diào)死區(qū)時間:ADuM4221和ADuM4221-1允許通過外部電阻調(diào)整死區(qū)時間,以優(yōu)化開關性能。ADuM4221-2則沒有死區(qū)時間控制。
內(nèi)置重疊保護:防止上下橋臂同時導通,保護電路免受損壞。
熱關斷保護:當內(nèi)部溫度超過熱關斷溫度(TSD)時,輸出會被設置為低電平,以防止過熱損壞。
三、電氣參數(shù)
峰值電流:4A(<2歐姆R(DSON_x))
輸入電源電壓:2.5V~6.5V
輸出電源電壓:4.5V~35.0V
最大傳播延遲:44ns
高共模瞬變抗擾度:150kV/μs
高工作結溫:125°C
四、應用領域
開關電源:用于控制絕緣柵雙極晶體管(IGBT)或金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)的開關,實現(xiàn)高效、穩(wěn)定的電源轉換。
工業(yè)逆變器:在逆變器中作為柵極驅動器,控制功率半導體器件的開關,實現(xiàn)電能的變換和傳輸。
電機控制:可用于控制直流電機、步進電機等電機的轉速和轉向,實現(xiàn)對電機的精確控制。
氮化鎵(GaN)/碳化硅(SiC)兼容:適用于新型半導體材料GaN和SiC的柵極驅動,提高電路的效率和性能。
五、封裝與認證
封裝:采用16引線SOIC_IC封裝,增加爬電距離,提高產(chǎn)品的可靠性和安全性。
認證:符合UL 1577認證,CSA組件驗收通知,VDE合格證書等,確保產(chǎn)品的安全性和合規(guī)性。
綜上所述,ADuM4221、ADuM4221-1、ADuM4221-2是高性能的半橋柵極驅動器,具有高隔離電壓、寬輸入電壓范圍、可調(diào)死區(qū)時間、內(nèi)置重疊保護和熱關斷保護等特性,適用于開關電源、工業(yè)逆變器、電機控制以及氮化鎵(GaN)/碳化硅(SiC)等應用領域。
責任編輯:David
【免責聲明】
1、本文內(nèi)容、數(shù)據(jù)、圖表等來源于網(wǎng)絡引用或其他公開資料,版權歸屬原作者、原發(fā)表出處。若版權所有方對本文的引用持有異議,請聯(lián)系拍明芯城(marketing@iczoom.com),本方將及時處理。
2、本文的引用僅供讀者交流學習使用,不涉及商業(yè)目的。
3、本文內(nèi)容僅代表作者觀點,拍明芯城不對內(nèi)容的準確性、可靠性或完整性提供明示或暗示的保證。讀者閱讀本文后做出的決定或行為,是基于自主意愿和獨立判斷做出的,請讀者明確相關結果。
4、如需轉載本方擁有版權的文章,請聯(lián)系拍明芯城(marketing@iczoom.com)注明“轉載原因”。未經(jīng)允許私自轉載拍明芯城將保留追究其法律責任的權利。
拍明芯城擁有對此聲明的最終解釋權。