原標(biāo)題：瑞能半導(dǎo)體亮相2021慕尼黑上海電子展覽會

X-FAB作為全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號與光電半導(dǎo)體解決方案晶圓代工廠，不斷增強其技術(shù)產(chǎn)品組合以滿足市場需求。關(guān)于X-FAB增強其180nm高壓CMOS技術(shù)產(chǎn)品組合中的車用嵌入式閃存產(chǎn)品，以下進行詳細(xì)介紹：

一、技術(shù)背景與優(yōu)勢

X-FAB推出的這款新的閃存IP利用了其得到廣泛驗證的氮化硅氧化物（SONOS）技術(shù)。該技術(shù)具備更高的性能水平和一流的可靠性，完全符合嚴(yán)格的AEC-Q100 Grade 0汽車規(guī)范。它能夠在-40°C至175°C的溫度范圍內(nèi)工作，并完全支持ISO 26262規(guī)定的功能安全級別。

二、產(chǎn)品特點

1. 陣列大小與配置：該閃存IP的陣列大小為32KB，采用8K×39位配置，帶有32位數(shù)據(jù)總線。另外7位專用于錯誤代碼校正（ECC），以確保零缺陷的現(xiàn)場可靠性。

2. 測試接口：X-FAB專有的XSTI嵌入式非易失性存儲器（NVM）IP測試接口也已包括在內(nèi)，以達成對存儲器的完全串行接駁。

3. 低功耗設(shè)計：該款汽車級閃存IP能夠運行于單個1.8V電源，非常適用于低功耗設(shè)計。

4. 內(nèi)置自檢模塊：新增的內(nèi)置自檢（BIST）模塊對于實現(xiàn)有效的存儲器測試以及全面的產(chǎn)品調(diào)試至關(guān)重要。

三、應(yīng)用與前景

1. 汽車電子：這款閃存IP特別適用于汽車電子領(lǐng)域，能夠滿足在復(fù)雜環(huán)境下對芯片和元器件的高可靠性要求。

2. 其他領(lǐng)域：除了汽車電子之外，該閃存IP還特別適用于電池供電的設(shè)備，如便攜式或自主智能傳感器，并在醫(yī)療保健、工業(yè)、消費和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域發(fā)揮巨大潛力。

四、市場反響與影響

1. 豐富產(chǎn)品組合：這一全新IP解決方案進一步豐富了X-FAB針對180nm開放技術(shù)平臺的嵌入式閃存產(chǎn)品組合，擴大了其向市場提供的產(chǎn)品陣容。

2. 優(yōu)化晶片成本：新增的嵌入式閃存功能將實現(xiàn)更小的面積占比，并為X-FAB的客戶帶來更明顯的收益。同時，XP018的模塊化方法意味著其僅需要更少的掩膜層，這兩個因素都將有助于推動晶片成本的顯著優(yōu)化。

綜上所述，X-FAB通過增強其180nm高壓CMOS技術(shù)產(chǎn)品組合中的車用嵌入式閃存產(chǎn)品，不僅提升了其技術(shù)實力和市場競爭力，也為汽車電子和其他領(lǐng)域提供了更加可靠和高效的解決方案。