原標(biāo)題：英飛凌推出第二代高可靠非易失性SRAM

英飛凌確實(shí)推出了第二代高可靠非易失性SRAM（nvSRAM）。以下是對(duì)這款產(chǎn)品的詳細(xì)介紹：

一、產(chǎn)品概述

英飛凌科技股份公司旗下的Infineon Technologies LLC在2021年4月1日宣布推出第二代非易失性靜態(tài)RAM（nvSRAM）。新一代器件已通過(guò)QML-Q和高可靠性工業(yè)規(guī)格的認(rèn)證，支持苛刻環(huán)境下的非易失性代碼存儲(chǔ)和數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用，包括航天和工業(yè)應(yīng)用。

二、產(chǎn)品規(guī)格

1. 容量：256 Kb（STK14C88C）和1 Mb（STK14CA8C）兩種規(guī)格。

2. 封裝：采用32引腳300 mil雙列直插式陶瓷封裝，符合MIL-PRF-38535 QML-Q規(guī)格（-55°C至125°C）和英飛凌的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)（-40°C至85°C）。

3. 電壓：提供5V和3V兩個(gè)版本，支持航天、通信和導(dǎo)航系統(tǒng)以及工業(yè)高爐和鐵路控制系統(tǒng)的引導(dǎo)代碼、數(shù)據(jù)記錄和校準(zhǔn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。

三、技術(shù)特點(diǎn)

1. 高可靠性：通過(guò)QML-Q和高可靠性工業(yè)規(guī)格的認(rèn)證，適用于苛刻環(huán)境下的應(yīng)用。

2. 非易失性：在斷電時(shí)，nvSRAM會(huì)自動(dòng)將SRAM數(shù)據(jù)的副本保存到非易失性存儲(chǔ)器中，該數(shù)據(jù)的保護(hù)期限超過(guò)20年。

3. 高性能：英飛凌的nvSRAM技術(shù)將高性能SRAM與一流的SONOS非易失性技術(shù)相結(jié)合，在正常工作條件下，nvSRAM的作用類似于傳統(tǒng)的異步SRAM。

四、應(yīng)用場(chǎng)景

1. 航天應(yīng)用：適用于航天器的引導(dǎo)代碼、數(shù)據(jù)記錄和校準(zhǔn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)等應(yīng)用。

2. 工業(yè)應(yīng)用：適用于工業(yè)高爐、鐵路控制系統(tǒng)等需要高可靠性和非易失性存儲(chǔ)的場(chǎng)合。

3. 其他應(yīng)用：還可用于通信和導(dǎo)航系統(tǒng)等領(lǐng)域。

五、市場(chǎng)意義

新一代nvSRAM的推出，擴(kuò)展了英飛凌在電荷阱型存儲(chǔ)器領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。這些符合QML-Q規(guī)范的高可靠性工業(yè)用器件證明了英飛凌致力于為需要高性能、高可靠性存儲(chǔ)器的惡劣工作環(huán)境提供解決方案。

綜上所述，英飛凌推出的第二代高可靠非易失性SRAM具有顯著的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和廣泛的應(yīng)用前景，將為用戶提供更加可靠、高效的存儲(chǔ)解決方案。