原標(biāo)題：賦能未來(lái)，勇往直前---科銳聯(lián)合創(chuàng)始人發(fā)表SiCMOSFET十周年文章

賦能未來(lái)，勇往直前——科銳聯(lián)合創(chuàng)始人發(fā)表SiC MOSFET十周年文章

全球碳化硅技術(shù)領(lǐng)先企業(yè)科銳（Cree, Inc.）的聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席技術(shù)官John Palmour博士，發(fā)表了以《賦能未來(lái)，勇往直前：SiC MOSFET問(wèn)世10周年的思索》為題的文章。這篇文章不僅回顧了SiC MOSFET技術(shù)的研發(fā)歷程，還展望了其未來(lái)的應(yīng)用前景。

在文章中，John Palmour博士提到，科銳在2011年成功推出了全球首款SiC MOSFET，這一成就是在經(jīng)歷了將近二十年的研發(fā)努力后實(shí)現(xiàn)的。在SiC MOSFET問(wèn)世之前，業(yè)界曾普遍認(rèn)為基于SiC的氧化物絕緣體是不可靠的，因此開(kāi)發(fā)出可用的SiC MOSFET被認(rèn)為是不可能的。然而，科銳堅(jiān)信MOSFET才是客戶需要的“最終答案”，并堅(jiān)定地走上了這條充滿挑戰(zhàn)的道路。

在開(kāi)發(fā)過(guò)程中，科銳探索了三種不同的晶體結(jié)構(gòu)，竭盡全力在降低成本的同時(shí)提高安培容量。最初的晶圓尺寸僅有小指指甲大小，但科銳最終成功將基于3英寸晶圓的SiC MOSFET推向市場(chǎng)。這一技術(shù)的突破不僅讓許多原先認(rèn)為不可能實(shí)現(xiàn)的人改變了觀點(diǎn)，還推動(dòng)了整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。

John Palmour博士還提到，SiC MOSFET具有耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率、抗輻射等多重優(yōu)勢(shì)，這些優(yōu)勢(shì)使得SiC MOSFET在高壓環(huán)境中游刃有余，顯著優(yōu)于傳統(tǒng)硅基器件。同時(shí)，SiC的高熱導(dǎo)率更是其一大亮點(diǎn)，能夠在高達(dá)600℃的工作溫度下保持卓越性能，遠(yuǎn)超硅器件的300℃極限。

隨著SiC MOSFET技術(shù)的不斷發(fā)展，其應(yīng)用場(chǎng)景也越來(lái)越廣泛。從射頻器件到功率器件，再到新能源汽車等各個(gè)領(lǐng)域，SiC MOSFET都展現(xiàn)出了巨大的應(yīng)用潛力。特別是在新能源汽車領(lǐng)域，SiC MOSFET的應(yīng)用不僅提升了電池管理系統(tǒng)的效率，還延長(zhǎng)了電動(dòng)汽車的續(xù)航里程，為汽車電動(dòng)化趨勢(shì)注入了強(qiáng)勁動(dòng)力。

John Palmour博士在文章中表示，科銳將繼續(xù)致力于SiC技術(shù)的研發(fā)和應(yīng)用推廣，為未來(lái)的科技發(fā)展賦能。他相信，隨著材料生長(zhǎng)、器件制備等技術(shù)的不斷突破，第三代半導(dǎo)體的性價(jià)比優(yōu)勢(shì)將逐漸顯現(xiàn)，并正在打開(kāi)應(yīng)用市場(chǎng)。未來(lái)五年，基于第三代半導(dǎo)體材料的電子器件將廣泛應(yīng)用于5G基站、新能源汽車、特高壓、數(shù)據(jù)中心等場(chǎng)景。

總的來(lái)說(shuō)，John Palmour博士的這篇文章不僅是對(duì)SiC MOSFET技術(shù)發(fā)展歷程的回顧和總結(jié)，更是對(duì)未來(lái)科技發(fā)展的展望和期許。他相信，在科銳等企業(yè)的不斷努力下，SiC MOSFET技術(shù)將為未來(lái)的科技發(fā)展注入更多的活力和動(dòng)力。