原標(biāo)題：東芝推出新款碳化硅MOSFET模塊，有助于提升工業(yè)設(shè)備效率和小型化

東芝推出的新款碳化硅（SiC）MOSFET模塊，在提升工業(yè)設(shè)備效率和小型化方面取得了顯著進(jìn)展。以下是對(duì)該新款碳化硅MOSFET模塊的詳細(xì)介紹：

一、產(chǎn)品背景與特點(diǎn)

東芝作為半導(dǎo)體和存儲(chǔ)解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商，一直致力于為工業(yè)應(yīng)用提供高性能的功率器件。此次推出的新款碳化硅MOSFET模塊，是東芝在碳化硅技術(shù)領(lǐng)域的又一重要突破。該模塊具有低導(dǎo)通電阻、低開關(guān)損耗和高擊穿電壓等特點(diǎn)，特別適用于需要高效率和小型化的工業(yè)設(shè)備。

二、產(chǎn)品規(guī)格與性能

1. 額定電壓與電流：

• 漏源電壓（VDSS）額定值為2200V（部分產(chǎn)品如TWxxNxxxC系列可能具有不同的額定電壓，如1200V或650V）。

• 可支持漏端電流（continuous drain current）高達(dá)250A（具體數(shù)值可能因產(chǎn)品型號(hào)而異）。

• 漏極電流（脈沖）（IDP）可達(dá)500A。

2. 隔離電壓與工作溫度：

• 隔離電壓（Visol）為4000Vrms。

• 器件可在高達(dá)150℃的通道溫度（Tch）下工作。

3. 傳導(dǎo)損耗與開關(guān)損耗：

• 傳導(dǎo)損耗較低，漏極-源極導(dǎo)通電壓（VDS(on)sense）僅為0.7V（具體數(shù)值可能因產(chǎn)品型號(hào)而異）。

• 開關(guān)損耗實(shí)現(xiàn)最小化，典型的導(dǎo)通損耗和關(guān)斷損耗分別為14mJ和11mJ。

4. 優(yōu)化設(shè)計(jì)與可靠性：

• 對(duì)漂移層雜質(zhì)濃度和厚度進(jìn)行優(yōu)化，以增強(qiáng)模塊的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）與絕緣擊穿電壓之間的關(guān)聯(lián)。

• 在p型硅（p-base）和n基區(qū)（n-drift）之間嵌入具有箝位PN結(jié)（PN junction）的肖特基二極管（SBD），保障模塊在反向傳導(dǎo)條件下的可靠性。

三、應(yīng)用與優(yōu)勢(shì)

1. 應(yīng)用領(lǐng)域：

• 該新款碳化硅MOSFET模塊適用于各種工業(yè)設(shè)備，如軌道車輛用逆變器和轉(zhuǎn)換器、光伏逆變器、不間斷電源（UPS）、電動(dòng)汽車充電站等。

2. 優(yōu)勢(shì)：

• 顯著提升設(shè)備效率：通過降低導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗，實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率和更低的功率損耗。

• 助力設(shè)備小型化：由于開關(guān)損耗低，可以簡(jiǎn)化逆變器設(shè)計(jì)并提高功率密度，從而減小模塊體積及重量。

• 增強(qiáng)對(duì)宇宙射線的抗擾性：優(yōu)化漂移層雜質(zhì)濃度和厚度，提高模塊在光伏系統(tǒng)等應(yīng)用中的可靠性。

四、總結(jié)

東芝推出的新款碳化硅MOSFET模塊在提升工業(yè)設(shè)備效率和小型化方面表現(xiàn)出色。其低導(dǎo)通電阻、低開關(guān)損耗和高擊穿電壓等特點(diǎn)，使其成為各種工業(yè)應(yīng)用的理想選擇。未來，隨著碳化硅技術(shù)的不斷發(fā)展，東芝將繼續(xù)致力于推出更多高性能的功率器件，為工業(yè)設(shè)備的升級(jí)和轉(zhuǎn)型提供有力支持。