原標(biāo)題：應(yīng)對“更高”存儲器件的ALD填充技術(shù)

應(yīng)對“更高”存儲器件的ALD（原子層沉積）填充技術(shù)，主要是針對3D NAND、DRAM等存儲器件在高深寬比復(fù)雜架構(gòu)下的填隙難題而發(fā)展起來的。以下是對這一技術(shù)的詳細(xì)解析：

一、技術(shù)背景與需求

隨著存儲器件向更高密度、更小尺寸發(fā)展，3D NAND堆棧越來越高，存儲單元之間的間隙變得越來越小，這對填充技術(shù)提出了更高的要求。傳統(tǒng)的填充方法，如化學(xué)氣相沉積、擴散/熔爐和旋涂工藝等，已無法滿足3D NAND的生產(chǎn)需求，因為它們往往會導(dǎo)致構(gòu)建和設(shè)計的實際結(jié)構(gòu)變形。因此，需要開發(fā)新的填充技術(shù)來應(yīng)對這一挑戰(zhàn)。

二、ALD填充技術(shù)的優(yōu)勢

ALD技術(shù)是一種特殊的真空薄膜沉積方法，具有較高的技術(shù)壁壘。它通過氣體分子之間的化學(xué)反應(yīng)在襯底上逐層構(gòu)建分子薄膜，從而實現(xiàn)分子甚至原子級別的沉積控制。在應(yīng)對高深寬比復(fù)雜架構(gòu)的存儲器件時，ALD填充技術(shù)具有以下優(yōu)勢：

1. 無針孔薄膜：在ALD過程中，每個沉積周期只沉積一層原子或分子，確保了薄膜的均勻性和密封性。這種無針孔薄膜具有良好的密封性和隔離性，可以有效防止外部雜質(zhì)進入存儲單元。

2. 100%階梯覆蓋：對于具有階梯結(jié)構(gòu)的表面，如凹槽、孔隙和高縱深比結(jié)構(gòu)，ALD的分子層級控制能夠在每個層面進行覆蓋。這使得ALD能夠逐步填充凹槽或孔隙，使薄膜沉積更加均勻。

3. 低溫沉積：許多ALD過程可以在相對較低的溫度下進行，適用于對溫度敏感的基板和材料，減少了熱應(yīng)力和材料相容性的問題。

4. 多種材料沉積：ALD可以沉積多種材料，如金屬氧化物、氮化物、碳化物等，為存儲器件的制造提供了更多的選擇。

三、先進的ALD填充技術(shù)案例

以泛林集團的Striker ICEFill為例，該技術(shù)采用泛林獨有的表面改性技術(shù)，可以實現(xiàn)高選擇性自下而上的無縫填充，并同時能保持原子層沉積（ALD）固有的成膜質(zhì)量。Striker ICEFill技術(shù)具有以下特點：

1. 自下而上填充：采用自下而上的填充方式，可以實現(xiàn)非常高質(zhì)量的內(nèi)部成膜且不會收縮。

2. 高選擇性：通過表面改性技術(shù)，可以實現(xiàn)對特定區(qū)域的精確填充，避免了對非填充區(qū)域的污染。

3. 良好的成膜質(zhì)量：標(biāo)準(zhǔn)ALD技術(shù)能大幅提升沉積后的成膜質(zhì)量，解決了收縮的問題。

四、市場前景與應(yīng)用

隨著存儲器件技術(shù)的不斷發(fā)展，對填充技術(shù)的要求也越來越高。ALD填充技術(shù)憑借其獨特的優(yōu)勢，在3D NAND、DRAM等存儲器件的制造中發(fā)揮著越來越重要的作用。未來，隨著存儲器件向更高密度、更小尺寸發(fā)展，ALD填充技術(shù)將具有更廣闊的市場前景和應(yīng)用空間。

綜上所述，應(yīng)對“更高”存儲器件的ALD填充技術(shù)是一種具有獨特優(yōu)勢和高技術(shù)壁壘的薄膜沉積方法。它通過逐層構(gòu)建分子薄膜的方式，實現(xiàn)了對高深寬比復(fù)雜架構(gòu)存儲器件的精確填充。未來，隨著技術(shù)的不斷進步和應(yīng)用領(lǐng)域的拓展，ALD填充技術(shù)將在存儲器件制造中發(fā)揮更加重要的作用。