原標(biāo)題：Kioxia和西部數(shù)據(jù)宣布推出第六代162層3D閃存技術(shù)

Kioxia（鎧俠）和西部數(shù)據(jù)確實宣布推出了第六代162層3D閃存技術(shù)，以下是關(guān)于該技術(shù)的詳細(xì)介紹：

一、技術(shù)背景與發(fā)布

在ISSCC 2021中，Western Digital Corporation（西部數(shù)據(jù)公司）宣布與Kioxia（鎧俠）聯(lián)手研發(fā)出第六代162層3D NAND Flash。這是兩家企業(yè)建立20年合作關(guān)系的又一里程碑，也是兩家公司迄今密度最高、最先進的3D NAND技術(shù)。

二、技術(shù)特點與優(yōu)勢

1. 高堆疊層數(shù)：與第五代的112層堆疊架構(gòu)相比，第六代產(chǎn)品進一步提升至162層堆疊架構(gòu)。這種高堆疊層數(shù)的設(shè)計使得晶圓尺寸減小約40%，從而降低了成本。

2. 高密度與低成本：第六代3D NAND Flash橫向單元陣列密度較第五代提高了約10%。同時，新技術(shù)降低了單位成本，并使每個晶圓可制作多70%容量的NAND Flash。

3. 高性能：采用了陣列CMOS電路布局及四路同時工作等新技術(shù)，處理性能可望提高近2.4倍，讀取延遲減少約10%，I/O性能也提高了約66%。

三、生產(chǎn)與應(yīng)用

1. 合資工廠：Kioxia和西部數(shù)據(jù)在日本四日市的合資工廠Fab7具備生產(chǎn)第六代162層閃存和未來先進3D閃存的能力。該工廠于2022年竣工，計劃于2023年初開始出貨162層閃存。

2. 市場應(yīng)用：雖然廠商已陸續(xù)采用第六代3D NAND Flash產(chǎn)品，但市場上的NVMe SSD主要仍是使用第四代3D NAND Flash。然而，隨著技術(shù)的不斷成熟和成本的進一步降低，第六代3D NAND Flash有望在更廣泛的領(lǐng)域得到應(yīng)用。

四、技術(shù)競爭與行業(yè)影響

1. 技術(shù)競爭：在3D NAND閃存技術(shù)領(lǐng)域，各大廠商都在不斷推陳出新。例如，美光和SK海力士在2020年底陸續(xù)推出新一代176層3D NAND，三星也稱將在2021年推出第七代V-NAND。這些新技術(shù)的推出加劇了市場競爭，推動了行業(yè)的快速發(fā)展。

2. 行業(yè)影響：Kioxia和西部數(shù)據(jù)推出的第六代162層3D閃存技術(shù)將對整個存儲行業(yè)產(chǎn)生深遠影響。它不僅提高了存儲密度和性能，還降低了成本，為消費者和企業(yè)提供了更加優(yōu)質(zhì)、高效的存儲解決方案。同時，該技術(shù)的推出也將進一步推動自動駕駛、人工智能等新興領(lǐng)域的發(fā)展。

綜上所述，Kioxia和西部數(shù)據(jù)推出的第六代162層3D閃存技術(shù)是一項具有里程碑意義的技術(shù)創(chuàng)新。它將為存儲行業(yè)帶來新的發(fā)展機遇和挑戰(zhàn)，同時也將推動整個行業(yè)的快速發(fā)展和變革。