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Vishay推出新型650 V SiC肖特基二極管，提升高頻應(yīng)用能效
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原標題：Vishay推出新型650 V SiC肖特基二極管，提升高頻應(yīng)用能效
Vishay確實推出了新型650 V SiC肖特基二極管，旨在提升高頻應(yīng)用的能效。以下是對該產(chǎn)品的詳細介紹：
一、產(chǎn)品概述
Vishay Intertechnology, Inc.（Vishay）推出了多款新型650 V碳化硅（SiC）肖特基二極管。這些二極管采用混合PIN Schottky（MPS）結(jié)構(gòu)設(shè)計，具有多項優(yōu)異性能，適用于高頻應(yīng)用。
二、產(chǎn)品特點
高能效：
器件正向壓降比上一代解決方案低0.3V，正向壓降與電容電荷乘積（即電源能效重要優(yōu)值系數(shù)FOM）相比上一代解決方案降低17%。
與競品解決方案相比，二極管室溫下典型反向漏電流低30%，高溫下低70%，降低了導(dǎo)通損耗，確保系統(tǒng)輕載和空載期間的高能效。
高可靠性：
幾乎沒有恢復(fù)拖尾，與超快恢復(fù)二極管不同，能夠進一步提升效率。
反向恢復(fù)時間短，且?guī)缀醪皇軠囟茸兓挠绊?，可?175℃高溫下工作，不會因開關(guān)損耗造成能效變化。
器件具有高可靠性，符合RoHS標準，無鹵素，通過2000小時高溫反偏（HTRB）測試和2000次熱循環(huán)溫度循環(huán)測試，測試時間和循環(huán)次數(shù)是AEC-Q101規(guī)定的兩倍。
多種封裝選項：
采用TO-22OAC 2L和TO-247AD 3L插件封裝以及D2PAK 2L（TO-263AB 2L）表面貼裝封裝，提供多種額定電流供選擇，包括4A至40A。
高性能：
采用MPS結(jié)構(gòu)設(shè)計，具有高浪涌電流保護能力。
低正向壓降、電容電荷和反向漏電流。
適用于高速硬開關(guān)和在寬溫度范圍內(nèi)高效工作。
三、應(yīng)用領(lǐng)域
這些新型650 V SiC肖特基二極管適用于多種高頻應(yīng)用領(lǐng)域，包括但不限于：
發(fā)電和勘探應(yīng)用領(lǐng)域中的FBPS和LLC轉(zhuǎn)換器。
AC/DC功率因數(shù)校正（PFC）和DC/DC超高頻輸出整流。
服務(wù)器轉(zhuǎn)換器、電信設(shè)備、不間斷電源（UPS）以及太陽能逆變器。
四、產(chǎn)品優(yōu)勢
能效提升：通過降低開關(guān)損耗和反向漏電流，顯著提升高頻應(yīng)用的能效。
高可靠性：經(jīng)過嚴格測試和認證，確保器件在高溫和惡劣環(huán)境下的穩(wěn)定運行。
多種封裝選項：提供多種封裝和額定電流選擇，滿足不同應(yīng)用需求。
綜上所述，Vishay推出的新型650 V SiC肖特基二極管在高頻應(yīng)用能效提升方面表現(xiàn)出色，具有廣泛的應(yīng)用前景。
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