Vishay推出具備優(yōu)異導(dǎo)通性能且經(jīng)過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的100 V 汽車級(jí)P溝道MOSFET


原標(biāo)題:Vishay推出具備優(yōu)異導(dǎo)通性能且經(jīng)過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的100 V 汽車級(jí)P溝道MOSFET
Vishay推出的這款具備優(yōu)異導(dǎo)通性能且經(jīng)過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的100V汽車級(jí)P溝道MOSFET,是一款專為汽車應(yīng)用設(shè)計(jì)的高性能電子元件。以下是對(duì)該產(chǎn)品的詳細(xì)分析:
一、產(chǎn)品概述
制造商:Vishay Intertechnology, Inc.
產(chǎn)品型號(hào):SQJ211ELP(或其他具體型號(hào),但在此以SQJ211ELP為例)
主要特性:100V P溝道TrenchFET? MOSFET,通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證,具備優(yōu)異導(dǎo)通性能和緊湊封裝。
二、技術(shù)規(guī)格與性能
封裝形式:鷗翼引線結(jié)構(gòu)5mm x 6mm緊湊型PowerPAK? SO-8L封裝,是業(yè)內(nèi)首款此類封裝器件。
導(dǎo)通電阻:在10V條件下,導(dǎo)通電阻僅為30mW,達(dá)到業(yè)內(nèi)優(yōu)異水平。與最接近的DPAK和D2PAK封裝競(jìng)品器件相比,導(dǎo)通電阻分別降低26%和46%。
柵極電荷:在10V條件下,柵極電荷僅為45nC,有助于減少柵極驅(qū)動(dòng)損耗。
工作溫度范圍:可在+175°C高溫下工作,滿足汽車應(yīng)用的牢固性和可靠性要求。
應(yīng)用領(lǐng)域:適用于反向極性保護(hù)、電池管理、高邊負(fù)載開(kāi)關(guān)和LED照明等汽車應(yīng)用。
三、產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
提高功率密度和能效:憑借低導(dǎo)通電阻和優(yōu)異的柵極電荷性能,有助于降低導(dǎo)通功耗,從而節(jié)省能源。
減小占位面積:與競(jìng)品相比,占位面積分別減小50%(與DPAK相比)和76%(與D2PAK相比),有利于PCB布局和降低成本。
提高自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)(AOI)功能:鷗翼引線結(jié)構(gòu)有助于提高AOI功能,消除機(jī)械應(yīng)力,提高板級(jí)可靠性。
簡(jiǎn)化柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì):作為P溝道MOSFET,無(wú)需配置n溝道器件所需電荷泵,簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)。
符合環(huán)保標(biāo)準(zhǔn):采用無(wú)鉛(Pb)封裝、無(wú)鹵素、符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),有利于環(huán)保和可持續(xù)發(fā)展。
四、AEC-Q101認(rèn)證
AEC-Q101認(rèn)證是汽車電子委員會(huì)針對(duì)汽車級(jí)分立半導(dǎo)體器件制定的嚴(yán)格壓力測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。通過(guò)該認(rèn)證,表明該MOSFET在品質(zhì)、穩(wěn)定性和耐用性方面均達(dá)到了汽車行業(yè)最嚴(yán)苛的標(biāo)準(zhǔn),能夠完全滿足汽車和工業(yè)領(lǐng)域?qū)Ω呔取⒏呖煽啃云骷男枨蟆?/span>
五、總結(jié)
Vishay推出的這款100V汽車級(jí)P溝道MOSFET憑借其優(yōu)異的技術(shù)規(guī)格、性能優(yōu)勢(shì)以及AEC-Q101認(rèn)證,為汽車應(yīng)用提供了高效、可靠的解決方案。它不僅能夠提高功率密度和能效,還能減小占位面積、提高自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)功能以及簡(jiǎn)化柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)。此外,其符合環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)的特點(diǎn)也體現(xiàn)了制造商對(duì)可持續(xù)發(fā)展的承諾。
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