升級MEMS制造:從概念到批量生產


原標題:升級MEMS制造:從概念到批量生產
升級MEMS(微機電系統(tǒng))制造是一個復雜的過程,涉及從概念設計到批量生產的多個階段。以下是對這一過程的詳細分析:
一、MEMS制造面臨的挑戰(zhàn)
在MEMS制造過程中,廠商面臨諸多挑戰(zhàn),這些挑戰(zhàn)包括但不限于:
晶圓尺寸過渡:目前,圖像傳感器制造已廣泛使用300mm晶圓,而MEMS器件制造正在從小直徑晶圓向300mm晶圓過渡。晶圓尺寸的提升帶來了邊緣不連續(xù)性問題,這增加了制造的難度。
加工差異:MEMS和邏輯CMOS的晶圓加工存在顯著差異。MEMS晶圓加工可能需要使用雙面拋光晶圓、帶薄膜的空腔晶圓等特殊材料,以及單晶圓清洗、結構釋放刻蝕和斜面工程技術等特殊工藝。
深度反應離子刻蝕(DRIE)要求:MEMS器件生產需要降低斜率、更好的關鍵尺寸和深度均勻性,以及與其他集成和覆蓋相關的半關鍵刻蝕工藝。
等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)要求:MEMS制造對沉積過程中的應力控制有極高要求,并可能需要低溫加工技術。
壓電材料應用:越來越多的壓電材料被用于實現(xiàn)MEMS器件的功能,但這些材料具有獨特特性和制造要求。
二、升級MEMS制造的策略
為了應對上述挑戰(zhàn),廠商需要采取一系列策略來升級MEMS制造,這些策略包括:
利用先進技術升級MEMS加工能力:例如,采用深硅刻蝕(DSiE)、PECVD和光刻膠去除技術等先進技術來提升MEMS的加工能力。
解決客戶的高價值挑戰(zhàn):通過投資材料科學研究、減少開發(fā)時間、延長設備生命周期以及實現(xiàn)晶圓設備從200mm到300mm的順利過渡等方式,解決客戶在MEMS制造過程中遇到的高價值挑戰(zhàn)。
提供工具助力客戶進行MEMS開發(fā)和工藝優(yōu)化:廠商可以研發(fā)創(chuàng)新技術,如變壓器耦合等離子體(TCP)技術,以在整個晶圓表面實現(xiàn)出色的等離子體均勻性。同時,提供針對300mm晶圓開發(fā)的領先設備技術,以及適用于200mm MEMS制造的調整后的設備技術。
三、從概念到批量生產的流程
概念設計:在概念設計階段,廠商需要根據市場需求和技術趨勢,確定MEMS器件的功能、性能和尺寸等關鍵參數(shù)。
工藝開發(fā):進入工藝開發(fā)階段后,廠商需要進行材料選擇、工藝路線規(guī)劃、設備選型等工作。同時,通過多次試驗和優(yōu)化,確定最佳的工藝參數(shù)和流程。
小批量試產:在小批量試產階段,廠商需要對工藝進行驗證和調整,以確保產品的質量和性能滿足設計要求。同時,還需要評估生產成本和效率,為批量生產做準備。
批量生產:在批量生產階段,廠商需要建立完善的生產流程和質量控制體系,以確保產品的一致性和穩(wěn)定性。同時,還需要不斷優(yōu)化生產工藝和設備,以提高生產效率和降低成本。
四、案例分析
以泛林集團為例,該集團采用了三管齊下的升級策略來應對MEMS制造挑戰(zhàn)。通過利用先進技術升級MEMS加工能力、解決客戶的高價值挑戰(zhàn)以及提供工具助力客戶進行MEMS開發(fā)和工藝優(yōu)化等措施,泛林集團成功提升了MEMS器件的制造質量和效率。同時,泛林集團還通過收購Coventor等方式,加強了器件設計、工藝建模和新式虛擬計量技術方面的能力,進一步提升了其MEMS制造競爭力。
綜上所述,升級MEMS制造需要從概念設計到批量生產的多個階段進行全面考慮和規(guī)劃。通過采用先進技術、解決客戶挑戰(zhàn)以及提供工具助力等措施,廠商可以不斷提升MEMS器件的制造質量和效率,滿足市場需求并實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展。
責任編輯:David
【免責聲明】
1、本文內容、數(shù)據、圖表等來源于網絡引用或其他公開資料,版權歸屬原作者、原發(fā)表出處。若版權所有方對本文的引用持有異議,請聯(lián)系拍明芯城(marketing@iczoom.com),本方將及時處理。
2、本文的引用僅供讀者交流學習使用,不涉及商業(yè)目的。
3、本文內容僅代表作者觀點,拍明芯城不對內容的準確性、可靠性或完整性提供明示或暗示的保證。讀者閱讀本文后做出的決定或行為,是基于自主意愿和獨立判斷做出的,請讀者明確相關結果。
4、如需轉載本方擁有版權的文章,請聯(lián)系拍明芯城(marketing@iczoom.com)注明“轉載原因”。未經允許私自轉載拍明芯城將保留追究其法律責任的權利。
拍明芯城擁有對此聲明的最終解釋權。