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MOS場效應(yīng)管7n65參數(shù)規(guī)格書

來源: hqew
2021-01-11
類別:基礎(chǔ)知識
eye 317
文章創(chuàng)建人 拍明

原標(biāo)題:MOS場效應(yīng)管7n65參數(shù)規(guī)格書

MOS場效應(yīng)管7N65的參數(shù)規(guī)格書通常包含以下關(guān)鍵信息:

一、基本參數(shù)

  • 型號:7N65

  • 漏極-源極電壓(VDS):650V。這是場效應(yīng)管漏極和源極之間的最大允許電壓。

  • 柵源電壓(VGS):±30V(或標(biāo)注為30V,表示柵極相對于源極的最大正向和反向電壓)。

  • 漏極電流(ID):7A。這是場效應(yīng)管在導(dǎo)通狀態(tài)下,漏極允許流過的最大電流。

二、電氣特性

  • 功耗(PD):50W(或有的資料標(biāo)注為更高值,如147W,這可能與具體型號或測試條件有關(guān),但50W是常見標(biāo)注)。

  • 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):典型值為1.25Ω至1.35Ω(具體值可能因測試條件或生產(chǎn)批次而異,但通常在1.2Ω至1.4Ω范圍內(nèi))。RDS(ON)是場效應(yīng)管在導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻,它決定了器件的功耗和效率。

  • 二極管正向電壓(VSD):1.4V(或接近此值)。這是當(dāng)場效應(yīng)管作為二極管使用時,正向?qū)妷旱牡湫椭怠?/span>

  • 柵極閾值電壓(VGS(TH)):通常低于30V,但具體值可能因型號而異。VGS(TH)是使場效應(yīng)管開始導(dǎo)通的柵極電壓。

  • 脈沖正向電流(ISM):28A。這是場效應(yīng)管在脈沖條件下允許流過的最大電流。

  • 反向恢復(fù)時間(trr):293nS(或接近此值)。這是當(dāng)場效應(yīng)管從導(dǎo)通狀態(tài)切換到截止?fàn)顟B(tài)時,反向電流衰減到某一水平所需的時間。

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三、物理特性

  • 封裝:TO-220或TO-220AB(具體封裝形式可能因生產(chǎn)廠家而異)。

  • 尺寸:通常包括總長度、本體長度、寬度和高度等參數(shù)。例如,總長度可能為28.57mm至28.8mm,本體長度為15.87mm,寬度為10.16mm至10.66mm,高度為4.7mm等(具體尺寸可能因封裝形式或生產(chǎn)廠家而異)。

四、其他特性

  • 低固有電容:這有助于降低場效應(yīng)管的開關(guān)損耗和提高開關(guān)速度。

  • 出色的開關(guān)特性:7N65具有快速的開關(guān)速度和穩(wěn)定的開關(guān)性能。

  • 擴(kuò)展安全操作區(qū)域:這意味著場效應(yīng)管可以在更寬的電壓和電流范圍內(nèi)安全工作。

  • 門電荷(Qg):典型值為29nC(或其他接近此值的數(shù)值)。門電荷是控制場效應(yīng)管開關(guān)所需的總電荷量。

五、注意事項

  • 在使用7N65時,應(yīng)確保工作電壓和電流不超過其最大允許值,以避免器件損壞。

  • 在設(shè)計電路時,應(yīng)充分考慮7N65的開關(guān)速度和穩(wěn)定性要求,以確保電路的正常工作。

  • 7N65的參數(shù)可能因生產(chǎn)廠家、測試條件或生產(chǎn)批次而異,因此在實際應(yīng)用中應(yīng)參考具體型號的規(guī)格書。

綜上所述,MOS場效應(yīng)管7N65具有優(yōu)異的電氣特性和物理特性,適用于各種電子設(shè)備和電路中。在選擇和使用時,應(yīng)充分考慮其參數(shù)規(guī)格和應(yīng)用場景等因素,以確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。


責(zé)任編輯:David

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標(biāo)簽: MOS場效應(yīng)管 7n65

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