原標(biāo)題：Teledyne e2v HiRel的650 V系列產(chǎn)品新增兩款大功率GaN HEMT

Teledyne e2v HiRel的650V系列產(chǎn)品確實(shí)新增了兩款大功率GaN HEMT，以下是關(guān)于這兩款產(chǎn)品的詳細(xì)介紹：

一、產(chǎn)品概述

Teledyne e2v HiRel為其基于GaN Systems技術(shù)的650伏行業(yè)領(lǐng)先高功率產(chǎn)品系列新增兩款耐用型GaN功率HEMT（高電子遷移率晶體管），分別是TDG650E30B和TDG650E15B。這兩款產(chǎn)品分別提供30A和15A的較低電流性能，而此前推出的第一款650V產(chǎn)品TDG650E60則提供60A的電流。

二、產(chǎn)品特點(diǎn)

1. 高電壓：這兩款650V GaN HEMT是市面上電壓最高的GaN功率器件，適用于要求嚴(yán)格的高可靠性軍事、航空電子和太空應(yīng)用。

2. 高性能：器件配有底部冷卻裝置，采用超低FOM Island Technology?芯片和低電感GaNPX?封裝，提供大于100Mhz的超高頻率開關(guān)、快速且可控制的下降和上升時(shí)間、反向電流能力等。

3. 高可靠性：這些器件經(jīng)過嚴(yán)格的可靠性和電氣測(cè)試，包括硫酸測(cè)試、高空模擬、動(dòng)態(tài)老化、環(huán)境溫度高達(dá)175°C的階躍應(yīng)力、9伏柵極電壓以及全溫度測(cè)試，以確保關(guān)鍵任務(wù)的成功。

4. 低結(jié)殼熱阻：TDG650E15B和TDG650E30B均為增強(qiáng)型硅上GaN功率晶體管，可實(shí)現(xiàn)大電流、高壓擊穿和高開關(guān)頻率，同時(shí)為大功率應(yīng)用提供非常低的結(jié)殼（junction-to-case）熱阻。

5. 耐輻射封裝：氮化鎵器件已經(jīng)革新了其他行業(yè)的功率轉(zhuǎn)換元件，現(xiàn)在以耐輻射的塑料封裝推出，這種封裝經(jīng)過嚴(yán)格的可靠性和電氣測(cè)試以確保關(guān)鍵任務(wù)的成功。

三、應(yīng)用場(chǎng)景

這些新型GaN HEMT是諸如電源、電機(jī)控制和半橋拓?fù)涞葢?yīng)用的理想之選，為客戶提供了關(guān)鍵航空航天和國防電力應(yīng)用所需的效率、尺寸和功率密度優(yōu)勢(shì)。

四、市場(chǎng)意義

1. 技術(shù)創(chuàng)新：Teledyne e2v HiRel通過推出這兩款新產(chǎn)品，進(jìn)一步鞏固了其在高功率GaN HEMT領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

2. 客戶受益：這些新器件更小的封裝將使從事最高功率密度項(xiàng)目設(shè)計(jì)的客戶真正受益，有助于他們開發(fā)出更高效、更可靠的電子產(chǎn)品。

綜上所述，Teledyne e2v HiRel的650V系列產(chǎn)品新增的兩款大功率GaN HEMT具有顯著的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和市場(chǎng)應(yīng)用前景，將為客戶提供更高效、更可靠的電子產(chǎn)品解決方案。