原標(biāo)題：NV－SRAM與BBSRAM之間的比較

NV-SRAM（非易失性SRAM或NVRAM）與BBSRAM（電池供電SRAM，又稱(chēng)BatRAM）是兩種不同的存儲(chǔ)器技術(shù)，它們?cè)诙鄠€(gè)方面存在顯著的差異。以下是對(duì)這兩種存儲(chǔ)器技術(shù)的詳細(xì)比較：

一、基本組成與工作原理

1. BBSRAM：

• BBSRAM是嵌入式單封裝中多個(gè)芯片和電池元件的組合。它包含一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的SRAM、電壓傳感器、開(kāi)關(guān)芯片以及鋰電池。

• 當(dāng)供電電壓（VCC）低于指定電壓電平時(shí)，內(nèi)部電池將被激活以維持存儲(chǔ)器中的內(nèi)容，直到VCC恢復(fù)到有效電平。

2. NV-SRAM：

• NV-SRAM是一種快速靜態(tài)RAM（SRAM），每個(gè)存儲(chǔ)器單元中都包含非易失性單元。

• 它采用SONOS（硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-硅）技術(shù)，將嵌入式非易失性單元制造成可靠的非易失性存儲(chǔ)器。

• 在斷電時(shí)，通過(guò)使用VCAP引腳上連接的小型電容上保存的電荷，將數(shù)據(jù)從SRAM中自動(dòng)轉(zhuǎn)移到非易失性單元中（自動(dòng)存儲(chǔ)操作）。加電時(shí)，數(shù)據(jù)會(huì)從非易失性存儲(chǔ)器單元重新存儲(chǔ)到SRAM內(nèi)（加電回讀操作）。

二、性能與特點(diǎn)

1. 訪問(wèn)速度：

• BBSRAM的訪問(wèn)時(shí)間通常在70ns至100ns之間。

• NV-SRAM的訪問(wèn)時(shí)間更快，被指定為20ns至45ns。

2. 耐用性：

• SRAM能夠?qū)崿F(xiàn)無(wú)限次的讀寫(xiě)周期，BBSRAM和NV-SRAM都繼承了這一特性。

• NV-SRAM還具有非易失性，能夠在斷電時(shí)保存數(shù)據(jù)。

3. 電路板空間與厚度：

• 由于BBSRAM需要集成電池，因此其體積通常比NV-SRAM更大、更厚。

• NV-SRAM是一個(gè)單片解決方案，帶有一個(gè)小型的外部電容，占用更小的電路板空間和厚度。

4. 可靠性：

• 電池的壽命是有限的，且存在腐蝕和卡子移位等問(wèn)題，可能影響B(tài)BSRAM的可靠性。

• NV-SRAM不依賴(lài)電池，因此具有更高的可靠性。

5. 環(huán)保與標(biāo)準(zhǔn)符合性：

• BBSRAM中的電池可能不符合RoHS（歐盟有害物質(zhì)限用指令）標(biāo)準(zhǔn)。

• NV-SRAM不帶電池，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

三、應(yīng)用場(chǎng)景

1. BBSRAM：

• 適用于需要每秒數(shù)千次訪問(wèn)速度且對(duì)體積要求不高的場(chǎng)景。

• 由于其包含電池，因此在某些環(huán)境條件下（如高溫或低溫）可能需要額外的考慮。

2. NV-SRAM：

• 非常適合需要快速寫(xiě)入速度、高耐用性和即時(shí)非易失性的高性能應(yīng)用。

• 如可編程邏輯控制器（PLC）、智能儀表和網(wǎng)絡(luò)路由器等數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用。

四、總結(jié)

綜上所述，NV-SRAM在訪問(wèn)速度、電路板空間占用、可靠性、環(huán)保與標(biāo)準(zhǔn)符合性等方面相對(duì)于BBSRAM具有顯著優(yōu)勢(shì)。而B(niǎo)BSRAM則主要適用于對(duì)訪問(wèn)速度有極高要求且對(duì)體積要求不高的場(chǎng)景。在選擇存儲(chǔ)器技術(shù)時(shí)，應(yīng)根據(jù)具體的應(yīng)用場(chǎng)景和需求進(jìn)行權(quán)衡。