原標(biāo)題：ROHM開發(fā)出實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通電阻的第五代Pch MOSFET

ROHM確實(shí)開發(fā)出了實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通電阻的第五代Pch MOSFET，以下是對(duì)該產(chǎn)品的詳細(xì)介紹：

一、產(chǎn)品概述

ROHM推出的第五代Pch MOSFET產(chǎn)品共計(jì)24款，非常適用于FA（工廠自動(dòng)化）設(shè)備、機(jī)器人等工業(yè)設(shè)備以及空調(diào)等消費(fèi)電子產(chǎn)品。這些產(chǎn)品包括支持24V輸入電壓的-40V和-60V耐壓?jiǎn)螛O型“RQxxxxxAT/RDxxxxxAT/RSxxxxxAT/RFxxxxxAT系列”和雙極型“UTxxx5/QHxxx5/SHxxx5系列”。

二、技術(shù)特點(diǎn)

1. 超低導(dǎo)通電阻：

• 采用ROHM第五代新微米工藝，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超低的單位面積導(dǎo)通電阻。

• -40V耐壓產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻較以往產(chǎn)品降低62%，-60V耐壓產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻較以往產(chǎn)品降低52%。

2. 高可靠性：

• 通過(guò)優(yōu)化元件結(jié)構(gòu)并采用有利于改善電場(chǎng)集中問(wèn)題的新設(shè)計(jì)，進(jìn)一步提高了產(chǎn)品品質(zhì)。

• 使普遍認(rèn)為相互矛盾的產(chǎn)品可靠性和低導(dǎo)通電阻兩者同時(shí)得到兼顧，有助于追求高品質(zhì)的工業(yè)設(shè)備長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。

3. 簡(jiǎn)化電路結(jié)構(gòu)：

• 使用Pch MOSFET可以用低于輸入電壓的柵極電壓進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，因此可簡(jiǎn)化電路結(jié)構(gòu)，同時(shí)還有助于減輕設(shè)計(jì)負(fù)擔(dān)。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

這些超低導(dǎo)通電阻的Pch MOSFET產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于各種需要高效能、低損耗的電子設(shè)備中，如FA設(shè)備、機(jī)器人、空調(diào)設(shè)備以及數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、5G基站等。

四、生產(chǎn)與銷售

1. 生產(chǎn)基地：

• 前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Co.，Ltd.（日本滋賀工廠）。

• 后期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Integrated Systems（Thailand）Co.，Ltd.（泰國(guó)）。

2. 量產(chǎn)與銷售：

• 該系列產(chǎn)品已于2020年8月份開始以月產(chǎn)100萬(wàn)個(gè)的規(guī)模投入量產(chǎn)。

• 產(chǎn)品可通過(guò)AMEYA360、SEKORM、Right IC、ONEYAC等網(wǎng)售平臺(tái)購(gòu)買。

五、未來(lái)展望

ROHM計(jì)劃持續(xù)擴(kuò)充封裝陣容，以支持更廣泛的應(yīng)用。同時(shí)，還計(jì)劃推進(jìn)車載級(jí)產(chǎn)品的開發(fā)。此外，ROHM還將在此次推出的第五代Pch MOSFET基礎(chǔ)上，持續(xù)推進(jìn)更高效率的Nch MOSFET開發(fā)工作，為減少應(yīng)用產(chǎn)品的設(shè)計(jì)工時(shí)并提高可靠性和效率做出貢獻(xiàn)。

綜上所述，ROHM開發(fā)出的實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通電阻的第五代Pch MOSFET產(chǎn)品具有顯著的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用前景，將廣泛應(yīng)用于各種需要高效能、低損耗的電子設(shè)備中。