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關(guān)鍵的短脈沖

來源: 中電網(wǎng)
2020-11-03
類別:技術(shù)信息
eye 17
文章創(chuàng)建人 拍明

原標題:關(guān)鍵的短脈沖

在數(shù)字控制電源中,關(guān)鍵短脈沖的動態(tài)電壓調(diào)節(jié)是應(yīng)對快速負載變化的核心技術(shù),需通過硬件設(shè)計、算法優(yōu)化和系統(tǒng)協(xié)同實現(xiàn)高效響應(yīng)。以下是關(guān)鍵技術(shù)點及實現(xiàn)方法:


一、關(guān)鍵短脈沖的挑戰(zhàn)與目標

1. 挑戰(zhàn)

  • 超快負載跳變:如CPU、GPU等數(shù)字芯片在短時間內(nèi)從低功耗切換到滿載,電流需求可能從幾安培躍升至幾十安培。

  • 毫秒級響應(yīng)需求:輸出電壓過沖/下沖需控制在±5%以內(nèi),恢復(fù)時間小于100μs。

  • 高精度與效率平衡:避免過度補償導(dǎo)致的效率下降。

2. 目標

  • 實現(xiàn)亞微秒級響應(yīng):通過硬件與算法協(xié)同,在負載突變時快速調(diào)整輸出電壓。

  • 最小化電壓波動:降低過沖/下沖幅度,保護敏感負載。

  • 提升系統(tǒng)穩(wěn)定性:確保在動態(tài)負載下長期可靠運行。


二、關(guān)鍵技術(shù)實現(xiàn)

1. 硬件設(shè)計優(yōu)化

  • 高頻開關(guān)與低寄生參數(shù)

    • GaN/SiC功率器件:開關(guān)頻率提升至1-5MHz,減少動態(tài)響應(yīng)延遲。

    • PCB布局優(yōu)化:減小功率回路電感(如采用多層板、短寬走線),降低電壓尖峰。

  • 多相并聯(lián)與交錯控制

    • 并聯(lián)拓撲:將負載電流分散到多相,降低單相瞬態(tài)過沖。

    • 相位交錯:各相開關(guān)信號錯開相位(如180°),減少輸入/輸出電流紋波。

  • 高速ADC與數(shù)字控制器

    • 12位以上ADC:采樣率>1MHz,實時監(jiān)測輸出電壓和電流。

    • FPGA/DSP:高算力處理器實現(xiàn)復(fù)雜算法,如MPC(模型預(yù)測控制)。

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2. 算法優(yōu)化

  • 預(yù)測控制算法

    • 基于電源模型預(yù)測未來輸出電壓,提前調(diào)整控制量。

    • 示例:在CPU從空閑切換到滿載前,根據(jù)歷史數(shù)據(jù)預(yù)測電流變化,提前增加占空比。

    • MPC(模型預(yù)測控制)

  • 動態(tài)補償技術(shù)

    • 前饋控制:實時監(jiān)測輸入電壓/負載電流變化,通過前饋補償?shù)窒麛_動。

    • 自適應(yīng)濾波:使用卡爾曼濾波器估計系統(tǒng)參數(shù),動態(tài)調(diào)整補償器。

  • 死區(qū)時間優(yōu)化

    • 動態(tài)死區(qū):根據(jù)開關(guān)頻率和負載電流,動態(tài)調(diào)整死區(qū)時間,減少開關(guān)損耗和延遲。


3. 系統(tǒng)集成與實現(xiàn)

  • 閉環(huán)控制與反饋

    • 高速反饋環(huán)路:通過數(shù)字控制器實時調(diào)整PWM信號,實現(xiàn)閉環(huán)控制。

    • 多環(huán)路控制:外環(huán)控制輸出電壓,內(nèi)環(huán)控制電感電流,提升動態(tài)性能。

  • 硬件預(yù)處理

    • 負載電流預(yù)測:通過負載電流監(jiān)測電路,提前預(yù)判負載變化趨勢。

    • 軟啟動/軟停止:在負載突變時,平滑調(diào)整輸出電壓,減少沖擊。


三、關(guān)鍵短脈沖的實現(xiàn)案例

1. CPU/GPU電源設(shè)計

  • 需求:負載電流從0.5A躍升至50A,過沖<5%,恢復(fù)時間<50μs。

  • 解決方案

    • 硬件:4相并聯(lián)DC/DC轉(zhuǎn)換器,使用GaN功率器件,開關(guān)頻率2MHz。

    • 算法:MPC算法預(yù)測負載變化,前饋控制補償輸入電壓擾動。

    • 結(jié)果:過沖3%,恢復(fù)時間30μs。

2. 激光驅(qū)動電源

  • 需求:短脈沖電流從0A躍升至100A,脈寬10μs,過沖<2%。

  • 解決方案

    • 硬件:單相DC/DC轉(zhuǎn)換器,采用SiC MOSFET,開關(guān)頻率5MHz。

    • 算法:實時電流監(jiān)測與動態(tài)補償,結(jié)合數(shù)字PID控制。

    • 結(jié)果:過沖1.5%,脈寬精度±0.5μs。


四、技術(shù)對比與選擇


技術(shù)優(yōu)點缺點適用場景
高頻開關(guān)響應(yīng)速度快,體積小開關(guān)損耗高,EMI復(fù)雜高功率密度應(yīng)用
多相并聯(lián)瞬態(tài)過沖小,可靠性高控制復(fù)雜,成本高大電流負載
MPC算法預(yù)測能力強,動態(tài)性能好算力要求高,實現(xiàn)復(fù)雜高精度、快速響應(yīng)場景
前饋控制抗干擾能力強需要精確模型,調(diào)試困難輸入電壓/負載變化頻繁場景



五、實踐建議

  1. 硬件選型

    • 選擇高帶寬、低延遲的功率器件和數(shù)字控制器。

    • 采用多相并聯(lián)拓撲,降低單相負載壓力。

  2. 算法實現(xiàn)

    • 在數(shù)字控制器中實現(xiàn)MPC或前饋控制算法,提升動態(tài)性能。

    • 使用自適應(yīng)濾波器,實時優(yōu)化補償參數(shù)。

  3. 系統(tǒng)測試

    • 通過負載跳變測試,驗證動態(tài)響應(yīng)速度和過沖/下沖。

    • 使用示波器監(jiān)測輸出電壓波形,優(yōu)化控制參數(shù)。


六、總結(jié)

在數(shù)字控制電源中,關(guān)鍵短脈沖的動態(tài)電壓調(diào)節(jié)需通過硬件與算法的協(xié)同優(yōu)化:

  1. 硬件:高頻開關(guān)、多相并聯(lián)、低寄生參數(shù)。

  2. 算法:MPC、前饋控制、自適應(yīng)濾波。

  3. 系統(tǒng):高速數(shù)字控制器、閉環(huán)控制、硬件預(yù)處理。

通過綜合優(yōu)化,可實現(xiàn)亞微秒級響應(yīng)速度、低過沖/下沖高效率的動態(tài)電壓調(diào)節(jié),滿足CPU、GPU、激光驅(qū)動等高精度負載的需求。


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標簽: 短脈沖

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