產(chǎn)品分類
IPB70N10S312ATMA1
賣盤信息
| 型號 | 品牌 |
數(shù)量
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美金單價 |
|
人民幣單價 （含稅13%） |
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最小起訂量 最小包裝 | 交貨地交期 | 批次 | 購買量 | 操作 |
|---|
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參數(shù)
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數(shù)值
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|---|---|
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晶體管極性
|
N-Channel
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Id連續(xù)
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70A
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Vds
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100V
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在電阻RDS（上）
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0.0094ohm
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電壓@Rds測量
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10V
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閾值電壓Vgs
|
3V
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|
功耗Pd
|
125W
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晶體管封裝類型
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TO-263
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針腳數(shù)
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3引腳
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工作溫度最高值
|
175°C
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產(chǎn)品范圍
|
-
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汽車質(zhì)量標準
|
AEC-Q101MSL
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ECCN
|
EAR99
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Lifecyle
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Active
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Description
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Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Taxonomy
|
Diodes, Transistors and Thyristors > FET Transistors > MOSFETs
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Country Of Origins
|
Malaysia
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Introduction Date
|
2008-02-11 00
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EU RoHS
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Compliant with Exemption
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|
HTSUSA
|
8541290095
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EU RoHS Version
|
2011/65/EU, 2015/863
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Part Number Code
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View Code
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Supplier Cage Code
|
CG091
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Channel Mode
|
Enhancement
|
|
Automotive
|
Yes
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Package Width
|
9.25
|
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HTS
|
8541.29.00.95
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Maximum Continuous Drain Curre...
|
70
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Military
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No
|
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PCB changed
|
2
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Standard Package Name
|
TO-263
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AEC Qualified Number
|
AEC-Q101
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Product Category
|
Power MOSFET
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|
Typical Rise Time (ns)
|
8
|
|
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
|
51@10V
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Configuration
|
Single
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Typical Turn-Off Delay Time (n...
|
25
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Number of Elements per Chip
|
1
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Channel Type
|
N
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Maximum Operating Temperature ...
|
175
|
|
Lead Shape
|
Gull-wing
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Mounting
|
Surface Mount
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Typical Input Capacitance @ Vd...
|
3350@25V
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Pin Count
|
3
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Package Height
|
4.4
|
|
Typical Fall Time (ns)
|
8
|
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Package Length
|
10
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Part Status
|
Active
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|
Maximum Power Dissipation (mW)
|
125000
|
|
Minimum Operating Temperature ...
|
-55
|
|
Supplier Package
|
D2PAK
|
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Maximum Drain Source Voltage (...
|
100
|
|
Maximum Gate Source Voltage (V...
|
±20
|
|
ECCN (US)
|
EAR99
|
|
Typical Turn-On Delay Time (ns...
|
17
|
|
Maximum Drain Source Resistanc...
|
11.3@10V
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Tab
|
Tab
|
|
Packaging
|
Tape and Reel
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|
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
|
51
|
|
Pd-功率耗散
|
125W
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|
Vgs-柵極-源極電壓
|
20V
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零件號別名
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IPB70N10S3-12IPB7N1S312XTSP000261246
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Id-連續(xù)漏極電流
|
70A
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|
制造商
|
Infineon
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最小工作溫度
|
-55C
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|
Qg-柵極電荷
|
66nC
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商標
|
InfineonTechnologies
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|
封裝
|
Reel
|
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最大工作溫度
|
+175C
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單位重量
|
4g
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安裝風格
|
SMD/SMT
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資格
|
AEC-Q101
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|
Vds-漏源極擊穿電壓
|
100V
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系列
|
XPB70N10
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子類別
|
MOSFETs
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產(chǎn)品種類
|
MOSFET
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工廠包裝數(shù)量
|
1000
|
|
Vgsth-柵源極閾值電壓
|
2V
|
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通道數(shù)量
|
1Channel
|
|
RdsOn-漏源導通電阻
|
9.4mOhms
|
|
配置
|
Single
|
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