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IPB029N06N3GE8187ATMA1
型號

IPB029N06N3GE8187ATMA1

品牌:
   英飛凌
應用:
封裝:
描述:英飛凌 Infineon MOSFET, OptiMOS 3 系列, N溝道, Si, Vds=60 V, 120 A, 3引腳 D2PAK (TO-263)封裝
品牌官網(wǎng): www.infineon.com
參數(shù)
數(shù)值
ROHS標準
不適用
防靜電標準認證
符合
最大漏源電壓
60V
最大漏源電阻值
3.2mΩ
最大柵閾值電壓
4V
最小柵閾值電壓
2V
最大柵源電壓
-20V、+20V
封裝類型
D2PAK(TO-263)
安裝類型
表面貼裝
引腳數(shù)目
3
類別
功率MOSFET
最大功率耗散
188W
典型關斷延遲時間
62ns
尺寸
10.31x9.45x4.57mm
最低工作溫度
-55°C
典型柵極電荷@Vgs
124nC@10V
典型輸入電容值@Vds
10000pF@30V
每片芯片元件數(shù)目
1
系列
IPB029N06
Channel Mode
Enhancement
Automotive
No
Maximum Continuous Drain Curre...
120
Process Technology
OptiMOS 3
Military
No
Product Category
Power MOSFET
Typical Rise Time (ns)
120
Maximum IDSS (uA)
2
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
124@10V
Configuration
Single
Typical Turn-Off Delay Time (n...
62
Number of Elements per Chip
1
Maximum Gate Threshold Voltage...
4
Channel Type
N
Maximum Operating Temperature ...
175
EU RoHS
Compliant with Exemption
Typical Input Capacitance @ Vd...
10000@30V
Typical Fall Time (ns)
20
Maximum Power Dissipation (mW)
188000
Minimum Operating Temperature ...
-55
Maximum Gate Source Leakage Cu...
100
Maximum Drain Source Voltage (...
60
Maximum Gate Source Voltage (V...
±20
ECCN (US)
EAR99
Typical Turn-On Delay Time (ns...
35
Maximum Drain Source Resistanc...
3.2@10V
Packaging
Tape and Reel
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
124
Pd-功率耗散
188W
Vgs-柵極-源極電壓
20V
零件號別名
E8187GIPB029N06N3IPB29N6N3GE8187XTSP000939334
Id-連續(xù)漏極電流
120A
制造商
Infineon
Qg-柵極電荷
53nC
商標
InfineonTechnologies
封裝
Reel
單位重量
2g
安裝風格
SMD/SMT
Vds-漏源極擊穿電壓
60V
子類別
MOSFETs
產品種類
MOSFET
工廠包裝數(shù)量
1000
晶體管極性
N-Channel
Vgsth-柵源極閾值電壓
2V
通道數(shù)量
1Channel
RdsOn-漏源導通電阻
2.9mOhms
配置
Single
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