產(chǎn)品分類
IPB80N06S207ATMA1
賣盤信息
| 型號 | 品牌 |
數(shù)量
|
美金單價 |
|
人民幣單價 （含稅13%） |
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最小起訂量 最小包裝 | 交貨地交期 | 批次 | 購買量 | 操作 |
|---|
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參數(shù)
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數(shù)值
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|---|---|
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ROHS標(biāo)準(zhǔn)
|
不適用
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防靜電標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證
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符合
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最大漏源電壓
|
55V
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最大漏源電阻值
|
0.0066Ω
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最大柵閾值電壓
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4V
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最小柵閾值電壓
|
2.1V
|
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最大柵源電壓
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-20V、+20V
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封裝類型
|
D2PAK(TO-263)
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安裝類型
|
表面貼裝
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引腳數(shù)目
|
3
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類別
|
功率MOSFET
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最大功率耗散
|
250W
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每片芯片元件數(shù)目
|
1
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系列
|
OptiMOS
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尺寸
|
10x9.25x4.4mm
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最低工作溫度
|
-55°C
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典型柵極電荷@Vgs
|
86nC@10V
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|
典型輸入電容值@Vds
|
3400pF@25V
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典型關(guān)斷延遲時間
|
61ns
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ECCN
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EAR99
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Lifecyle
|
Obsolete
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Description
|
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Taxonomy
|
Diodes, Transistors and Thyristors > FET Transistors > MOSFETs
|
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Introduction Date
|
2006-03-13 00
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EU RoHS
|
Compliant with Exemption
|
|
HTSUSA
|
8541290095
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EU RoHS Version
|
2011/65/EU, 2015/863
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Part Number Code
|
View Code
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Supplier Cage Code
|
CG091
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Channel Mode
|
Enhancement
|
|
Automotive
|
Yes
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Package Width
|
9.25
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|
Maximum Continuous Drain Curre...
|
80
|
|
Process Technology
|
OptiMOS
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|
Military
|
No
|
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PCB changed
|
2
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Standard Package Name
|
TO-263
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AEC Qualified Number
|
AEC-Q101
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Product Category
|
Power MOSFET
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|
Typical Rise Time (ns)
|
37
|
|
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
|
86@10V
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|
Configuration
|
Single
|
|
Typical Turn-Off Delay Time (n...
|
61
|
|
Number of Elements per Chip
|
1
|
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Channel Type
|
N
|
|
Maximum Operating Temperature ...
|
175
|
|
Lead Shape
|
Gull-wing
|
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Mounting
|
Surface Mount
|
|
Typical Input Capacitance @ Vd...
|
3400@25V
|
|
Pin Count
|
3
|
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Package Height
|
4.4
|
|
Typical Fall Time (ns)
|
36
|
|
Package Length
|
10
|
|
Part Status
|
Obsolete
|
|
Maximum Power Dissipation (mW)
|
250000
|
|
Minimum Operating Temperature ...
|
-55
|
|
Supplier Package
|
D2PAK
|
|
Maximum Drain Source Voltage (...
|
55
|
|
Maximum Gate Source Voltage (V...
|
±20
|
|
ECCN (US)
|
EAR99
|
|
Typical Turn-On Delay Time (ns...
|
16
|
|
Maximum Drain Source Resistanc...
|
6.6@10V
|
|
Tab
|
Tab
|
|
Packaging
|
Tape and Reel
|
|
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
|
86
|
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