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吉林華微電子股份有限公司是集功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)研發(fā)、芯片加工、封裝測(cè)試及產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)為一體的國(guó)家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)。微電子擁有4英寸、5英寸與6英寸等多條功率半導(dǎo)體分立器件及IC芯片生產(chǎn)線，芯片加工能力為每年330萬(wàn)片，封裝資源為24億只/年。公司在終端設(shè)計(jì)、工藝制造和產(chǎn)品設(shè)計(jì)方面擁有多項(xiàng)專利，各系列產(chǎn)品采用IGBT、MOS、雙極技術(shù)及集成電路等核心制造技術(shù)，公司主要生產(chǎn)功率半導(dǎo)體器件及IC，應(yīng)用于汽車(chē)電子、電力電子、光伏逆變、工業(yè)控制與LED照明等領(lǐng)域。目前公司已形成IGBT、VDMOS、FRED、SBD、BJT、IPM等為營(yíng)銷(xiāo)主線的系列產(chǎn)品，成為功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域?yàn)榭蛻籼峁┙鉀Q方案的制造商、LED照明解決方案提供商。

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：6A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：700V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：1.6Ω @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：120W(Tc) 類型：N溝道

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JCS6N70FC-220MF

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：6A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：700V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：1.6Ω @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：40W(Tc) 類型：N溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：1.9A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：600V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：44W(Tc) 類型：N溝道

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JCS9N50FT-220MF

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：9A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：500V 柵源極閾值電壓：5V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：750mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：48W(Tc) 類型：N溝道

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JCS18N50FH-220MF

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：18A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：500V 柵源極閾值電壓：5V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：270mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：39W(Tc) 類型：N溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：7A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：650V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：1.35Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：120W(Tc) 類型：N溝道

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JCS4N80FH-220MF

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JCS8N60FB-220MF

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JCS4N70FC-220MF

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：4A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：700V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：2.8Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：33W(Tc) 類型：N溝道

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肖特基二極管

正向壓降（Vf）：930mV @ 10A 直流反向耐壓（Vr）：200V 平均整流電流（Io）：2 x 10A

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HBR3100-DO-201AD

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肖特基二極管

正向壓降（Vf）：800mV @ 3A 直流反向耐壓（Vr）：100V 平均整流電流（Io）：3A

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HBR5100-DO-201AD

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肖特基二極管

正向壓降（Vf）：830mV @ 5A 直流反向耐壓（Vr）：100V 平均整流電流（Io）：5A

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快恢復(fù)二極管

二極管配置：1對(duì)共陰極正向壓降(Vf)：1.7V 5A 直流反向耐壓(Vr)：400V 反向電流(Ir)：50μA 400V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：36ns 工作溫度(最小值)：-50℃ (Tj)

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快恢復(fù)二極管

二極管配置：1對(duì)共陰極正向壓降(Vf)：1.7V 5A 直流反向耐壓(Vr)：400V 反向電流(Ir)：50μA 400V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：36ns 工作溫度(最小值)：-50℃ (Tj)

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正向壓降（Vf）：700mV @ 15A 直流反向耐壓（Vr）：45V 平均整流電流（Io）：2 x 15A

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正向壓降（Vf）：730mV @ 10A 直流反向耐壓（Vr）：100V 平均整流電流（Io）：2 x 10A

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正向壓降（Vf）：760mV @ 10A 直流反向耐壓（Vr）：60V 平均整流電流（Io）：2 x 10A

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正向壓降（Vf）：580mV @ 5A 直流反向耐壓（Vr）：45V 平均整流電流（Io）：2 x 5A

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快恢復(fù)二極管

二極管配置：1對(duì)共陰極正向壓降(Vf)：1.1V 30A 直流反向耐壓(Vr)：300V 平均整流電流(Io)：30A 反向電流(Ir)：10μA 300V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：30ns 工作溫度(最小值)：-50℃ (Tj)

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HBR20150U-220HF

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正向壓降（Vf）：850mV @ 10A 直流反向耐壓（Vr）：150V 平均整流電流（Io）：2 x 10A

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正向壓降（Vf）：900mV @ 15A 直流反向耐壓（Vr）：100V 平均整流電流（Io）：2 x 15A

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正向壓降（Vf）：630mV @ 10A 直流反向耐壓（Vr）：45V 平均整流電流（Io）：2 x 10A

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正向壓降（Vf）：930mV @ 10A 直流反向耐壓（Vr）：200V 平均整流電流（Io）：2 x 10A

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HBR10200S-220HF

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正向壓降（Vf）：930mV @ 5A 直流反向耐壓（Vr）：200V 平均整流電流（Io）：2 x 5A

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正向壓降（Vf）：700mV @ 10A 直流反向耐壓（Vr）：100V 平均整流電流（Io）：2 x 10A

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集電極電流Ic：2A 額定功率：20W 晶體管類型：NPN 集射極擊穿電壓Vce：400V

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