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MagnaChip一直致力于模擬及混合信號(hào)半導(dǎo)體領(lǐng)域的研究和發(fā)展，擁有專(zhuān)業(yè)的核心技術(shù)。主要事業(yè)領(lǐng)域包括 High Voltage CMOS、Power、Embedded Memory、Non Volatile Memory 等。MagnaChip是一家模擬及混合信號(hào)非半導(dǎo)體存儲(chǔ)器綜合性半導(dǎo)體企業(yè)。

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FET/MOSFET 單體

MagnaChip MOSFET, N溝道, Si, Vds=660 V, 11 A, 3引腳 TO-220封裝

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功率半導(dǎo)體模塊

Product Overview :Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 780000mW 7-Pin Case 7DM-3

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FET/MOSFET 單體

MagnaChip MOSFET, N溝道, Si, Vds=500 V, 18 A, 3引腳 TO-220F封裝

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MagnaChip MOSFET, N溝道, Si, Vds=650 V, 7 A, 3引腳 TO-220F封裝

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整流器-單體

MagnaChip 二極管, 峰值反向重復(fù)電壓 600V, 3引腳 5DM-2封裝, 最高工作溫度 +150 °C

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FET/MOSFET 單體

MagnaChip MOSFET, N溝道, Si, Vds=30 V, 67 A, 3引腳 DPAK (TO-252)封裝

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FET/MOSFET 單體

MagnaChip MOSFET, N溝道, Si, Vds=500 V, 9 A, 3引腳 TO-220F封裝

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FET/MOSFET 單體

MagnaChip MOSFET, N溝道, Si, Vds=100 V, 97 A, 3引腳 TO-220封裝

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FET/MOSFET 單體

MagnaChip MOSFET, N溝道, Si, Vds=600 V, 3.5 A, 3引腳 DPAK (TO-252)封裝

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功率半導(dǎo)體模塊

MagnaChip MPMC200B120RH N通道 IGBT 模塊, 串行, 200 A, Vce=1200 V, 7引腳 7DM-2封裝

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