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創(chuàng)見總部位于臺(tái)北，1988年由束崇萬先生一手創(chuàng)立。時(shí)至今日，創(chuàng)見已成為全球存儲(chǔ)產(chǎn)品的領(lǐng)導(dǎo)品牌，在全球13個(gè)國家和地區(qū)成立了分公司，所有產(chǎn)品均由自己設(shè)計(jì)、開發(fā)和生產(chǎn)。在創(chuàng)見，創(chuàng)見秉承高品質(zhì)的產(chǎn)品理念，提供專業(yè)化的客戶服務(wù)。作為一家以客戶為中心的公司，面對日益變化的市場需求，創(chuàng)見有能力做出迅速反應(yīng)，滿足各式各樣的存儲(chǔ)需求。創(chuàng)見提供超過2000款的產(chǎn)品，產(chǎn)品線涵蓋內(nèi)存、閃存卡、讀卡器、移動(dòng)硬盤、固態(tài)硬盤和工業(yè)級存儲(chǔ)產(chǎn)品，可滿足不同人群的存儲(chǔ)需求。面對現(xiàn)代高科技生活方式的變更，創(chuàng)見憑借大膽的技術(shù)創(chuàng)新，引領(lǐng)業(yè)界潮流。

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創(chuàng)見

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The TS1GSK64V6H is a 512M x 8 DRAM high-speed low power memory DDR3 SO-DIMM use DDR3 SDRAM and a 2048 bits serial EEPROM on a 240-pin printed circuit board. It is a Dual In-Line Memory Module and is intended for mounting into 240-pin edge connector sockets. The synchronous design allows precise cycle control with the use of system clock. The data I/O transactions are possible on both edges of DQS, range of operation frequencies, programmable latencies allow the same device to be useful for a variety of high bandwidth, high performance memory system applications. . 8-bit Pre-fetch . Internal calibration through ZQ pin . On die termination with ODT pin . Serial presence detect with EEPROM . Asynchronous reset

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創(chuàng)見

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型號(hào)：

TS256MSQ64V8U-I

創(chuàng)見

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創(chuàng)見

產(chǎn)品分類：

其他存儲(chǔ)器

DRAM Module Synchronous 128Mbyte 144USODIMM

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創(chuàng)見

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其他存儲(chǔ)器

DRAM Module DDR2 SDRAM 2Gbyte 200SODIMM

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創(chuàng)見

產(chǎn)品分類：

4GB INDUSTRIAL SDHC CARD (CLASS 10)

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創(chuàng)見

產(chǎn)品分類：

Flash Card 16G-byte 3.3V microSD Card

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創(chuàng)見

產(chǎn)品分類：

存儲(chǔ)器模塊

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