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關(guān)于QORVO/RFMD

							QORVO/RFMD
						

RFMD公司生產(chǎn)高性能射頻IC，用于寬帶和電纜通訊領(lǐng)域。生產(chǎn)的產(chǎn)品包括功率放大器、線性放大器、LNA/混合器、求積調(diào)制器/解調(diào)器、上變頻器、前端設(shè)備、開關(guān)和收發(fā)器等。除了提供標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品外，RFMD公司還為用戶設(shè)計定制產(chǎn)品。公司擁有兩座硅片工廠，其中包括全球最大的GaAsHBT生產(chǎn)廠。公司在美國有設(shè)五個設(shè)計中心。

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QUAD-BAND TX, DUAL-BAND RX GSM, GPRS TRANSMIT MODULE

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最新賣價	包裝	應(yīng)用	系列	電壓電源	工作溫度	封裝外殼
	Reel			3.5V

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2.7GHz RF SYNTHESIZER/VCO WITH INTEGRATED RF MIXER

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	Reel			? 2.7V to 3.3V	-40 to +150	QFN

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KIT EVAL FOR RF3374

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IC SYNTH VCO MIXER 2.7GHZ 32-QFN

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	Tape & Reel (TR)		-			32-VFQFN Exposed Pad

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IC MIXER 400MHZ-1.1GHZ 14SOIC

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	Cut Tape (CT) Alternate Packaging		RF2418	3 V ~ 6.5 V		14-SOIC (0.154u0026quot;, 3.90mm Width)

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射頻收發(fā)器

IC RF TXRX WIFI

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	Bulk		-	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C	32-VFQFN Exposed Pad

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射頻收發(fā)器

IC RF TXRX ISM>1GHZ 40-VFQFN

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	Digi-Reel?		-	2.8 V ~ 3.6 V	-10°C ~ 60°C	40-VFQFN Exposed Pad

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2.4GHz TO 2.5GHz 802.11b/g/n WiFi FRONT END MODULE

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				3-4.8V	–40 °C to +85 °C

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5?MHz to 4000 MHz, Low-Noise SiGe HBT MMIC Amplifier

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				2.7-3.6V	–40 °C to +105 °C

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700MHz to 2500MHz DIRECT QUADRATURE MODULATOR

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	Reel			6V	65 to + 150	TSSOP

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信號開關(guān)/解碼器/多路復(fù)用器

IC ISM FRONT END MOD

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	Bulk		-			28-LFLGA

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信號開關(guān)/解碼器/多路復(fù)用器

IC IF GAIN CONTROL AMP SOT23-8

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	Tape & Reel (TR)		-			SOT-23-8

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Product Description The NBB-400 cascadable broadband InGaP/GaAs MMIC amplifier is a low-cost, high-performance solution for general purpose RF and microwave amplification needs. This 50? gain block is based on a reliable HBT proprietary MMIC design, providing unsurpassed performance for small-signal applications. Designed with an external bias resistor, the NBB-400 providesflexibility and stability. The NBB-400 is packaged in a low-cost, surface-mount ceramic package, providing ease of assembly for high volume tape-and-reel requirements. It is available in either packaged or chip (NBB-400-D) form, where its gold metallization is ideal for hybrid circuit designs. Features ? Reliable, Low-Cost HBT Design ? 15.5dB Gain, +15.0dBm P1dB@2GHz ? High P1dB of +14.6dBm@6.0GHz ? Single Power Supply Operation ?50?I/O Matched for High Freq. Use

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Product Description The NBB-300 cascadable broadband InGaP/GaAs MMIC amplifier is a low-cost, high-performance solution for general purpose RF and microwave amplification needs. This 50Ωgain block is based on a reliable HBT proprietary MMIC design, providing unsurpassed performance for small-signal applications. Designed with an external bias resistor, the NBB-300 provides flexibility and stability. The NBB-300 is packaged in a low-cost, surface-mount ceramic package, providing ease of assem bly for high-volume tape-and-reel requirements. Features ?Reliable, Low-Cost HBT Design ?12.0dB Gain, +13.8dBm P1dB@2GHz ?High P1dB of ? +14.3dBm@6.0GHz and +11.2dBm@14.0GHz ?Single Power Supply Operation ?50ΩI/O Matched for High Freq. Use Applications ?Narrow and Broadband Commercial and Military Radio Designs ?Linear and Saturated Amplifiers ?Gain Stage or Driver Amplifiers for MWRadio/Optical Designs (PTP/PMP/LMDS/UNII/VSAT/WLAN/Cellular/DWDM)

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The RFSA2023 is a fully monolithic analogue Voltage Controlled Attenuator (VCA) features exceptional linearity over a typical temperature-compensated 30dB gain control range. It incorporates a revolutionary new circuit architecture to solve a long-standing industry problem, high IP3, high attenuation range, low DC current, broad bandwidth and temperature-compensated linear in dB control voltage characteristic. This voltage controlled attenuator is controlled by a single positive control voltage with on-chip DC conditioning circuitry. The slope of the control voltage versus gain is selectable. It draws a very low 1mA current. This attenuator is matched to 50R over its rated control range and frequency with no external matching components required. Typical VCA"s in this performance category have poor inherent attenuation versus temperature and poor nonlinear attenuation versus control voltage characteristics. . Patented circuit architecture . 30dB Attenuation range . +50dBm IIP3 typical . +80dBm IIP2 Typical . High 1dB compression point >+30dBm . 1mA Typical low supply current . 3.3V Power supply . Linear in dB control characteristic . Internal temperature compensation . Class 1C ESD (1000V) ESD sensitive device, take proper precaution while handling the device.

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The RF3376 is a general purpose RF Amplifier IC designed for use as an easily-cascadable 50R gain block. The device is manufactured on an advanced Gallium Arsenide Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) process. Applications include IF and RF amplification in wireless voice and data communication products operating in frequency bands up to 6000MHz. The device is self-contained with 50R input and output impedances and requires only two external DC-biasing elements to operate as specified. . Internally matched input and output . 22dB Small signal gain . 11dBm Output P1dB

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