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							PIP-SEMI
						

PIP-Semi成立于美國科羅拉多州的一家高科技公司。公司研發(fā)團隊來自仙童、IR、TFSS，自2003年組成后一直專注于先進半導(dǎo)體功率器件和集成電路的設(shè)計研發(fā)、芯片加工和封裝測試工藝技術(shù)。公司開發(fā)和生產(chǎn)VDMOS、SG MOSFET、Coolmos、 IGBT、 Gate Driver IC等先進半導(dǎo)體功率器件以及相關(guān)的電源管理集成電路產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于節(jié)能、綠色照明、智能電網(wǎng)、電動汽車、工控設(shè)備、消費電子等領(lǐng)域。

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：4A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：650V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：2.5Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：86W(Tc) 類型：N溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：9A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：500V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：750mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 類型：N溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：120A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：40V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：2.1mΩ @ 24A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 類型：N溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：16A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：600V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：500mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W(Tc) 類型：N溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：13A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：500V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：480mΩ @ 6.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：48W(Tc) 類型：N溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：30mA 漏源電壓（Vdss）：600V 柵源極閾值電壓：- 漏源導(dǎo)通電阻：700Ω @ 3mA,0V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 類型：N溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：80A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：40V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：4mΩ @ 80A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 類型：N溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：196A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：40V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：1.5mΩ @ 196A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：375W(Tc) 類型：N溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：10A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：800V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：1.15Ω @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：55W(Tc) 類型：N溝道

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連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：8A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：650V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：1.3Ω @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：42W(Tc) 類型：N溝道

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